エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日：2002/06/14)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2002/6/14
[資料番号]
目次

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[発表日]2002/6/14
[資料番号]
Al_2O_3-膜の電気特性に対する窒素添加効果

谷田 義明,  田村 泰之,  山口 正臣,  宮垣 真治,  吉田 親子,  杉山 芳弘,  田中 均,  

[発表日]2002/6/14
[資料番号]SDM2002-56
CVD AlO_x : N/Si(100)ヘテロ接合における化学結合状態分析とエネルギーバンドプロファイルの決定

須山 篤志,  横井 宏和,  奈良崎 昌宏,  水林 亘,  村上 秀樹,  宮崎 誠一,  

[発表日]2002/6/14
[資料番号]SDM2002-57
分子層制御CVDによるAlO_x:Nゲート絶縁膜の形成と電気的特性評価

村上 秀樹,  横井 宏和,  水林 亘,  山下 寛樹,  高 文秀,  宮崎 誠一,  

[発表日]2002/6/14
[資料番号]SDM2002-58
TEOSとtert-butoxideを用いたZr/Hfシリケイト薄膜の熱CVD

犬宮 誠治,  高 大為,  江口 和弘,  

[発表日]2002/6/14
[資料番号]SDM2002-59
高分解能RBSによるZrO_2/Si界面の評価

笹川 薫,  

[発表日]2002/6/14
[資料番号]SDM2002-60
Hf[N(C_2H_5)_2]_4を用いたMOCVDによるHfO_2膜の形成技術

久保 万身,  高橋 毅,  神力 博,  

[発表日]2002/6/14
[資料番号]SDM2002-61
制限反応スパッタ法によるZrO_2の成長とゲート絶縁膜特性

河合 賢太郎,  蓮 達弘,  文珠 康真,  和泉 亮,  佐々木 公洋,  畑 朋延,  

[発表日]2002/6/14
[資料番号]SDM2002-62
デュアルゲートCMOS応用を目指したN^+注入によるMo仕事関数制御とその影響

天田 高明,  日野 真毅,  前田 展秀,  芝原 健太郎,  

[発表日]2002/6/14
[資料番号]SDM2002-63
(Ba,Sr)TiO_3膜キャパシタ特性の電極金属依存性

山田 紘士,  吉川 公麿,  

[発表日]2002/6/14
[資料番号]SDM2002-64
(Ba,Sr)TiO_3膜物性の下地Si基板方位依存性

大和 昌樹,  山田 紘士,  加地 功駿,  吉川 公麿,  

[発表日]2002/6/14
[資料番号]SDM2002-65
[OTHERS]

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[発表日]2002/6/14
[資料番号]