エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2002/06/13)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2002/6/13
[資料番号]
目次

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[発表日]2002/6/13
[資料番号]
サブ100nmCMOSロジック用1.5nmゲート酸窒化膜におけるノックオン酸素の影響

東郷 光洋,  最上 徹,  

[発表日]2002/6/13
[資料番号]SDM2002-44
プラズマ窒化プロセスを用いた極薄ゲート絶縁膜形成における反応メカニズムの考察とさらなる薄膜化の検討

関根 克行,  犬宮 誠治,  福井 大伸,  高柳 万里子,  水島 一郎,  綱島 祥隆,  

[発表日]2002/6/13
[資料番号]SDM2002-45
マイクロ波励起高密度プラズマによる低温直接窒化を用いて高品質極薄シリコン窒化ゲート絶縁膜に関する研究

程 〓涛,  大嶋 一郎,  島田 浩行,  小野 泰弘,  平山 昌樹,  寺本 章伸,  須川 成利,  大見 忠弘,  

[発表日]2002/6/13
[資料番号]SDM2002-46
励起活性種を用いた極薄ゲート酸窒化膜の低温形成

今奥 崇夫,  笹田 浩介,  矢野 裕司,  畑山 智亮,  浦岡 行治,  冬木 隆,  

[発表日]2002/6/13
[資料番号]SDM2002-47
Cat-CVD法を用いた極薄ゲート絶縁膜の形成

森本 類,  吉川 明子,  和泉 亮,  松村 英樹,  

[発表日]2002/6/13
[資料番号]SDM2002-48
極薄ゲート絶縁膜MOSFETの量子力学的解析

斎藤 慎一,  嶋本 泰洋,  鳥居 和功,  平谷 正彦,  尾内 享裕,  木村 紳一郎,  

[発表日]2002/6/13
[資料番号]SDM2002-49
CBCM法を用いたゲート絶縁膜の容量測定

岡垣 健,  谷沢 元昭,  国清 辰也,  太田 和伸,  網城 啓之,  石川 清志,  井上 靖朗,  小谷 教彦,  

[発表日]2002/6/13
[資料番号]SDM2002-50
リーク電流が大きいMOSFETの移動度導出

嶋本 泰洋,  外村 修,  斎藤 慎一,  鳥居 和功,  平谷 正彦,  

[発表日]2002/6/13
[資料番号]SDM2002-51
LF/HF帯インピーダンス・アナライザを用いたゲート酸化膜の評価法

川畑 茂,  関野 敏正,  

[発表日]2002/6/13
[資料番号]SDM2002-52
SiO_2/Si(111)界面における価電子に対するエネルギー障壁

高橋 健介,  セマン ムスタファ ビン,  廣瀬 和之,  服部 健雄,  

[発表日]2002/6/13
[資料番号]SDM2002-53
Bipolar Voltage Pulse Induced Current : A Means for Reliable Extraction of Interface Trap Distribution in Ultrathin Oxides MOS Structures

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[発表日]2002/6/13
[資料番号]SDM2002-54
ゲート酸化膜を薄膜化したショットキーソース/ドレインSOI-MOSFETの特性

西坂 美香,  吉田 敦信,  浅野 種正,  

[発表日]2002/6/13
[資料番号]SDM2002-55
[OTHERS]

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[発表日]2002/6/13
[資料番号]