エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2002/05/16)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2002/5/16
[資料番号]
目次

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[発表日]2002/5/16
[資料番号]
AlGaN混晶の高品質化とデバイス応用(<小特集>III族窒化物研究の最前線)

岩谷 素顕,  佐野 智昭,  寺尾 真二,  望月 信吾,  佐野 重和,  中村 哲也,  上山 智,  天野 浩,  赤崎 勇,  

[発表日]2002/5/16
[資料番号]SDM2002-13
MOVPEによる高品質AlN/サファイア基板とGaN膜の高品質化(<小特集>III族窒化物研究の最前線)

田中 光浩,  柴田 智彦,  坂井 正宏,  小田 修,  三宅 秀人,  平松 和政,  石川 博康,  江川 孝志,  神保 孝志,  

[発表日]2002/5/16
[資料番号]SDM2002-14
選択成長法による(111)Si基板上へのクラックフリーGaN結晶の作製(<小特集>III族窒化物研究の最前線)

黒岩 洋佑,  本田 善央,  山口 雅史,  澤木 宣彦,  

[発表日]2002/5/16
[資料番号]SDM2002-15
MOVPE法による段差Si基板上へのGaNのELO : Si基板上へのGaNの制限領域ELO(<小特集>III族窒化物研究の最前線)

直井 弘之,  生川 満久,  三宅 秀人,  平松 和政,  

[発表日]2002/5/16
[資料番号]SDM2002-16
(001)si傾斜基板上への(1-101)GaNの結晶成長(<小特集>III族窒化物研究の最前線)

亀代 典史,  本田 善央,  山口 雅史,  澤木 宣彦,  

[発表日]2002/5/16
[資料番号]SDM2002-17
ECR-MBE法によるZnO/Si基板上多結晶GaNの結晶成長(<小特集>III族窒化物研究の最前線)

荒木 努,  北村 健,  間宮 恒,  丸山 隆浩,  名西 〓之,  

[発表日]2002/5/16
[資料番号]SDM2002-18
RF-MBE法を用いた高In組成In_xGa_<1-x>Nの結晶成長と特性評価(<小特集>III族窒化物研究の最前線)

堀 正輝,  加野 賢二,  山口 智広,  齋藤 義樹,  荒木 努,  名西 〓之,  

[発表日]2002/5/16
[資料番号]SDM2002-19
MOCVD法によるサファイア基板上への(10-10)面GaN成長(<小特集>III族窒化物研究の最前線)

奥野 浩司,  大塚 康二,  桑原 憲弘,  角谷 正友,  高野 泰,  福家 俊郎,  

[発表日]2002/5/16
[資料番号]SDM2002-20
埋め込みAlGaN横方向成長の組成不均一(<小特集>III族窒化物研究の最前線)

佐野 智昭,  岩谷 素顕,  寺尾 真二,  望月 信吾,  中村 哲也,  上山 智,  天野 浩,  赤崎 勇,  

[発表日]2002/5/16
[資料番号]SDM2002-21
AlN/Sapphire基板を用いた高Al組成AlGaNのMOVPE成長と光学特性(<小特集>III族窒化物研究の最前線)

木田 喜啓,  柴田 智彦,  直井 弘之,  三宅 秀人,  平松 和政,  田中 光浩,  

[発表日]2002/5/16
[資料番号]SDM2002-22
GaN HEMTのエレクトロルミネッセンス(<小特集>III族窒化物研究の最前線)

仲尾 健,  大野 雄高,  秋田 光俊,  岸本 茂,  前澤 宏一,  水谷 孝,  

[発表日]2002/5/16
[資料番号]SDM2002-23
Tbをイオン注入したGaNの発光特性(<小特集>III族窒化物研究の最前線)

若原 昭浩,  山本 鉄隆,  中西 康夫,  吉田 明,  大島 武,  伊藤 久義,  

[発表日]2002/5/16
[資料番号]SDM2002-24
紫外LEDの発光特性評価(<小特集>III族窒化物研究の最前線)

高浪 俊,  宮崎 敦嗣,  寺尾 真二,  岩谷 素顕,  上山 智,  天野 浩,  赤崎 勇,  

[発表日]2002/5/16
[資料番号]SDM2002-25
透明ショットキー電極を有するGaN系紫外線受光素子の特性評価(<小特集>III族窒化物研究の最前線)

太田 慶一,  渡辺 博信,  元垣内 敦司,  平松 和政,  大内 洋一郎,  只友 一行,  濱村 寛,  新坂 俊輔,  塩谷 英一,  福井 一俊,  

[発表日]2002/5/16
[資料番号]SDM2002-26
III族窒化物を用いたLEDの作製とその応用(<小特集>III族窒化物研究の最前線)

柴田 直樹,  

[発表日]2002/5/16
[資料番号]SDM2002-27
[OTHERS]

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[発表日]2002/5/16
[資料番号]