エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2002/03/08)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2002/3/8
[資料番号]
目次

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[発表日]2002/3/8
[資料番号]
不揮発性強誘電体ラッチ回路の新構成法と低電圧動作解析

山本 修一郎,  井上 進,  石原 宏,  

[発表日]2002/3/8
[資料番号]SDM2001-262
分極緩和を考慮したFeRAM非線形信頼性予測モデル

井上 尚也,  林 喜宏,  

[発表日]2002/3/8
[資料番号]SDM2001-263
PZT薄膜の90°ドメイン構造のTEM観察と強誘電特性

木口 賢紀,  脇谷 尚樹,  篠崎 和夫,  水谷 惟恭,  

[発表日]2002/3/8
[資料番号]SDM2001-264
サイトエンジニアリングコンセプトを用いたBi_4Ti_3O_12基薄膜特性の設計

舟窪 浩,  渡辺 隆之,  酒井 朋裕,  小嶌 隆志,  長田 実,  野口 祐二,  宮山 勝,  飯島 高志,  松田 弘文,  内田 寛,  岡田 勲,  

[発表日]2002/3/8
[資料番号]SDM2001-265
スパッタ法で成膜したSrBi_2Ta_2O_9薄膜の強誘電性評価

中山 徳行,  高梨 昌二,  高塚 裕二,  

[発表日]2002/3/8
[資料番号]SDM2001-266
AFMによるBi系強誘電体薄膜における自発分極配向の画像化

符 徳勝,  鈴木 一行,  加藤 一実,  

[発表日]2002/3/8
[資料番号]SDM2001-267
[OTHERS]

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[発表日]2002/3/8
[資料番号]