エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2002/03/07)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2002/3/7
[資料番号]
目次

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[発表日]2002/3/7
[資料番号]
a,b軸配向エピタキシャルBi_4Ti_3O_12基薄膜の合成と特性評価

渡辺 隆之,  伊佐 寛,  佐々木 敦,  吉本 護,  長田 実,  野口 祐二,  宮山 勝,  斎藤 啓介,  鈴木 利昌,  藤本 正之,  舟窪 浩,  

[発表日]2002/3/7
[資料番号]SDM2001-254
フラッシュランプを用いた新しいPZT膜結晶化技術

山川 晃司,  今井 馨太郎,  有隅 修,  有門 経敏,  吉岡 正樹,  大和田 樹志,  奥村 勝弥,  

[発表日]2002/3/7
[資料番号]SDM2001-255
MOCVD法によるPb(Zr,Ti)O_3薄膜の低温成長と核付けが及ぼす効果

岡庭 守,  藤沢 浩訓,  清水 勝,  丹生 博彦,  

[発表日]2002/3/7
[資料番号]SDM2001-256
La置換および空孔導入によるSrBi_2Ta_2O_9の低抗電界化 : Defect Engineering による分極特性制御

宮山 勝,  野口 祐二,  

[発表日]2002/3/7
[資料番号]SDM2001-257
Bi_4Ti_3O_12薄膜組成によるMFIS構造の特性

山口 正樹,  長友 隆男,  増田 陽一郎,  

[発表日]2002/3/7
[資料番号]SDM2001-258
強誘電体(Bi,La)_4Ti_3O_12薄膜と高容量バッファ層を用いたMFMIS構造の作製と評価

鈴木 卓哉,  徳光 永輔,  

[発表日]2002/3/7
[資料番号]SDM2001-259
1T2C型強誘電体メモリの作製及び評価

小笠原 悟,  石原 宏,  

[発表日]2002/3/7
[資料番号]SDM2001-260
エンベデットFRAMの技術動向

大谷 成元,  遠藤 徹,  

[発表日]2002/3/7
[資料番号]SDM2001-261
[OTHERS]

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[発表日]2002/3/7
[資料番号]