エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2002/01/14)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2002/1/14
[資料番号]
目次

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[発表日]2002/1/14
[資料番号]
Sub-50-nm CMOS技術と電源電圧最適化

若林 整,  

[発表日]2002/1/14
[資料番号]2001-SDM-205
ラジカル酸窒化法を用いたSTI端近傍のグート絶縁膜改善による高性能・高信頼サブ1.5nmグート酸窒化膜形成

東郷 光洋,  渡部 宏治,  寺井 真之,  深井 利憲,  成廣 充,  新井 浩一,  山本 豊二,  辰巳 徹,  最上 徹,  

[発表日]2002/1/14
[資料番号]2001-SDM-206
酸窒化ゲート絶縁膜を用いたPMOSの不均一なボロンの熱抜け

青山 敬幸,  福留 秀暢,  鈴木 邦広,  田代 浩子,  多田 陽子,  有本 宏,  堀内 敬,  長谷川 繁彦,  中島 尚男,  

[発表日]2002/1/14
[資料番号]2001-SDM-207
HfO_2ゲート絶縁膜特性の前処理依存性

森崎 祐輔,  杉田 義博,  / 入野 清,  青山 敬幸,  

[発表日]2002/1/14
[資料番号]2001-SDM-208
Bulk CMOSと互換性のあるプロセスにて作製した26nm Si層の0.11μm完全空乏型SOI CMOSデバイス

小松 裕司,  中山 創,  小山 一英,  松本 光市,  大野 晃計,  竹下 光明,  

[発表日]2002/1/14
[資料番号]2001-SDM-209
部分空乏型SOI MOSFETの電流駆動能力の向上 : ボディー端子制御型の容量性結合

宝玉 充,  

[発表日]2002/1/14
[資料番号]2001-SDM-210
チャネル長0.1μmSOI MOSFETにおけるself-heatingの影響考察

川中 繁,  松澤 一也,  井納 和美,  勝又 康弘,  吉見 信,  石内 秀美,  

[発表日]2002/1/14
[資料番号]2001-SDM-211
アルゴンイオン注入のSOI-NMOSFET特性に対する影響

篠 智彰,  新居 英明,  川中 繁,  井納 和美,  勝又 康弘,  吉見 信,  石内 秀美,  

[発表日]2002/1/14
[資料番号]2001-SDM-212
[OTHERS]

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[発表日]2002/1/14
[資料番号]