エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2001/12/13)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2001/12/13
[資料番号]
目次

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[発表日]2001/12/13
[資料番号]
[CATALOG]

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[発表日]2001/12/13
[資料番号]
目次

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[発表日]2001/12/13
[資料番号]
ナノカラム作製のための金属タンパク質の配列制御

山崎 玄,  浦岡 行治,  冬木 隆,  美濃 規央,  山下 一郎,  

[発表日]2001/12/13
[資料番号]SDM2001-183
フェリチンタンパク質を用いたナノデバイスの作製

彦野 太樹夫,  浦岡 行治,  冬木 隆,  山下 一郎,  

[発表日]2001/12/13
[資料番号]SDM2001-184
PrO_Xゲート絶縁膜のPLD法による作製

北井 聡,  寒川 雅之,  神田 浩文,  金島 岳,  奥山 雅則,  

[発表日]2001/12/13
[資料番号]SDM2001-185
Bi_4Ti_3O_<12>/Bi_2SiO_5/Si構造に及ぼすBi組成の影響

山口 正樹,  長友 隆男,  増田 陽一郎,  

[発表日]2001/12/13
[資料番号]SDM2001-186
高純度単一同位体Siのエピタキシャル成長と自己拡散への応用

中林 幸雄,  ヒルマン イルワン オスマン,  豊永 一成,  横田 香織,  松本 智,  室田 淳一,  和田 一実,  阿部 孝夫,  

[発表日]2001/12/13
[資料番号]SDM2001-187
キンヒドロン/メタノール溶液処理によるシリコン基板の表面パッシベーション

高遠 秀尚,  坂田 功,  下川 隆一,  

[発表日]2001/12/13
[資料番号]SDM2001-188
熱的な酸窒化およびRPNにより窒化されたシリコン酸化膜の電気特性と構造

荒井 雅利,  橋爪 貴彦,  小竹 義則,  松尾 一郎,  

[発表日]2001/12/13
[資料番号]SDM2001-189
MOSキャパシタの電気特性に及ぼすシリコン窒化膜の影響

坂本 裕樹,  久保 裕子,  河崎 泰宏,  米田 健司,  武石 彰,  

[発表日]2001/12/13
[資料番号]SDM2001-190
水蒸気熱処理による欠陥低減とSiO_2/Si界面改質

鮫島 俊之,  渡邊 整,  安藤 伸行,  

[発表日]2001/12/13
[資料番号]SDM2001-191
Extension形成プロセスのIn Haloプロファイルへの影響

芝原 健太郎,  鬼松 大,  

[発表日]2001/12/13
[資料番号]SDM2001-192
ジボランとアルシンのイオン注入によるシリコンへの浅いp形とn形層の形成

横田 勝弘,  中瀬 周作,  中村 和広,  丹上 正安,  松田 耕自,  高野 弘道,  

[発表日]2001/12/13
[資料番号]SDM2001-193
SiGe Dynamic Threshold Voltage MOSFET(DTMOS)の特性

井上 彰,  高木 剛,  原 義博,  神澤 好彦,  川島 孝啓,  大西 照人,  

[発表日]2001/12/13
[資料番号]SDM2001-194
シリコン共鳴トンネリングMOSトランジスタ : サブ0.1μm世代を見据えて

野崎 嵩裕,  松尾 直人,  高見 義範,  浜田 弘喜,  

[発表日]2001/12/13
[資料番号]SDM2001-195
SiCを用いたRESURF MOSFETの設計と作製

小杉 肇,  平尾 太一,  矢野 裕司,  須田 淳,  木本 恒暢,  松波 弘之,  

[発表日]2001/12/13
[資料番号]SDM2001-196
パワーデバイスに向けたSiC超接合構造の作製と特性解析

三浦 峰生,  中村 俊一,  木本 恒暢,  須田 淳,  松波 弘之,  

[発表日]2001/12/13
[資料番号]SDM2001-197
ELA法によるポリシリコンの結晶成長について : 核形成と水素の関係

河本 直哉,  阿部 寿,  松尾 直人,  田口 亮平,  納田 朋幸,  浜田 弘喜,  

[発表日]2001/12/13
[資料番号]SDM2001-198
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