エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日：2001/06/01)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2001/6/1
[資料番号]
目次

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[発表日]2001/6/1
[資料番号]
高誘電率ゲート絶縁膜の低温形成に関する研究

中尾 慎一,  中川 宗克,  大嶋 一郎,  島田 浩行,  大見 忠弘,  

[発表日]2001/6/1
[資料番号]SDM2001-53
CVD-Ta_2O_5, ZrO_2膜の表面ラフネス低減

高橋 毅,  青山 真太郎,  神力 博,  

[発表日]2001/6/1
[資料番号]SDM2001-54
ジルコニウム酸化膜/シリコン界面の障壁高さ及び欠陥密度評価

奈良崎 昌宏,  小笠原 優,  山岡 真左則,  村上 秀樹,  宮崎 誠一,  廣瀬 全孝,  

[発表日]2001/6/1
[資料番号]SDM2001-55
ZrO_2高誘電率ゲート絶縁膜のPLDによる作製と評価

北井 聡,  寒川 雅之,  神田 浩文,  金島 岳,  奥山 雅則,  

[発表日]2001/6/1
[資料番号]SDM2001-56
パルスレーザー蒸着法による高誘電率薄膜の作製と電気的特性

池田 浩也,  後藤 覚,  本多 一隆,  坂下 満男,  酒井 朗,  財満 鎮明,  安田 幸夫,  

[発表日]2001/6/1
[資料番号]SDM2001-57
HF(NEt_2)_4を原料ガスとして用いたHfO_2薄膜の堆積

大下 祥雄,  小椋 厚志,  星野 麻子,  鈴木 淑恵,  町田 英明,  

[発表日]2001/6/1
[資料番号]SDM2001-58
[OTHERS]

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[発表日]2001/6/1
[資料番号]