エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2001/05/31)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2001/5/31
[資料番号]
目次

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[発表日]2001/5/31
[資料番号]
ISSG膜の構造解析

永井 直人,  橋本 秀樹,  松延 剛,  村司 雄一,  大塚 祐二,  

[発表日]2001/5/31
[資料番号]SDM2001-44
p型、n型si(100)上の極薄SiO_2膜のDT電流のWKB近似による検討

高見 義則,  北川 康則,  松尾 直人,  

[発表日]2001/5/31
[資料番号]SDM2001-45
極薄ゲート酸化膜におけるSoft Breakdownの統計解析

水林 亘,  吉田 友一,  宮崎 誠一,  廣瀬 全孝,  

[発表日]2001/5/31
[資料番号]SDM2001-46
シリコン熱酸化膜のホットエレクトロン耐性に及ぼす有機ガス汚染の影響

横山 新,  芝原 健太郎,  中島 安理,  吉川 公麿,  角南 英夫,  / 吉野 雄信,  

[発表日]2001/5/31
[資料番号]SDM2001-47
Sub-0.1μm nMOSFETにおけるn^+poly-Si側壁/SiO_2界面近傍の不純物空乏化現象の定量評価

村上 秀樹,  三原 竜善,  宮崎 誠一,  広瀬 全孝,  

[発表日]2001/5/31
[資料番号]SDM2001-48
窒素励起活性種を用いたシリコン酸化膜の低温窒化

浦岡 行治,  笹田 浩介,  矢野 裕司,  畑山 智亮,  冬木 隆,  

[発表日]2001/5/31
[資料番号]SDM2001-49
p-MOSFETのための原子層成長Si窒化膜/SiO_2スタックゲート絶縁膜の研究

吉元 隆史,  木寺 俊郎,  / 中島 安理,  横山 新,  

[発表日]2001/5/31
[資料番号]SDM2001-50
TiO_2ゲート絶縁膜形成から学ぶ界面の動力学

平谷 正彦,  門島 勝,  嶋本 泰洋,  生田目 俊秀,  木村 紳一郎,  

[発表日]2001/5/31
[資料番号]SDM2001-51
(Ba,Sr)TiO_3高誘電率膜特性の電極金属依存症

藤原 直憲,  山田 紘士,  木寺 俊郎,  宮崎 誠一,  西山 文隆,  吉川 公麿,  

[発表日]2001/5/31
[資料番号]SDM2001-52
[OTHERS]

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[発表日]2001/5/31
[資料番号]