エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2001/05/17)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2001/5/17
[資料番号]
目次

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[発表日]2001/5/17
[資料番号]
エキシマレーザードーピング法によるp-i-nCdTeダイオードの作製

浅野 浩司,  中村 篤志,  / 青木 徹,  畑中 義式,  

[発表日]2001/5/17
[資料番号]ED2001-14,CPM2001-1,SDN2001-14
MOVPE成長CdTe層へのヨウ素ドーピング特性

富田 泰光,  増田 祐輔,  石黒 智章,  川内 康弘,  保木 一樹,  森下 浩志,  安田 和人,  

[発表日]2001/5/17
[資料番号]ED2001-15,CPM2001-2,SDM2001-15
MOVPE成長CdTe層へのヒ素ドーピング特性

増田 祐輔,  富田 泰光,  石黒 智章,  川内 康弘,  保木 一樹,  森下 浩志,  安田 和人,  

[発表日]2001/5/17
[資料番号]ED2001-16,CPM2001-3,SDM2001-16
エキシマレーザードーピング法によるp形ZnO層の形成

清水 克美,  三宅 亜紀,  青木 徹,  中西 洋一郎,  畑中 義式,  

[発表日]2001/5/17
[資料番号]ED2001-17,CPM2001-4,SDM2001-17
CuInSe_2薄膜の電子線照射効果の検討

李 海錫,  海江田 理,  藤田 尚樹,  岡田 浩,  若原 昭浩,  吉田 明,  

[発表日]2001/5/17
[資料番号]ED2001-18,CPM2001-5,SDN2001-18
CuIを用いたホットウォール法によるCuInSe_2薄膜の作製と評価

菊池 仁,  天羽 広史,  江間 義則,  高橋 崇宏,  

[発表日]2001/5/17
[資料番号]ED2001-19,CPM2001-6,SDM2001-19
InGaAsP/InAlAs超格子APDの暗電流低減化

鈴木 朝実良,  山田 篤志,  井戸田 健,  田中 英之,  横塚 達男,  

[発表日]2001/5/17
[資料番号]ED2001-20,CPM2001-7,SDM2001-20
MOCVD法によるSi基板上GaAsのInドープによる貫通転位密度軽減

小林 知存,  久留利 智穂,  浦西 泰樹,  桑原 憲弘,  福家 俊郎,  高野 泰,  

[発表日]2001/5/17
[資料番号]ED2001-21,CPM2001-8,SDM2001-21
HWE法によるAlN/GaN短周期超格子の作製と評価

長澤 仁也,  尾勢 朋久,  石野 健英,  井上 翼,  藤安 洋,  石田 明広,  

[発表日]2001/5/17
[資料番号]ED2001-22,CPM2001-9,SDM2001-22
長波長赤外線レーザ用PbSnCaTe薄膜の作製と評価

王 淑蘭,  大橋 達也,  石野 建英,  井上 翼,  藤安 洋,  石田 明広,  

[発表日]2001/5/17
[資料番号]ED2001-23,CPM2001-10,SDN2001-23
(Nd_<0.33>Eu_<0.33>Gd_<0.33>)Ba_2Cu_3O_X酸化物高温超伝導体の相図作成と結晶成長

村井 崇志,  森 徹,  / 熊川 征司,  早川 泰弘,  

[発表日]2001/5/17
[資料番号]ED2001-24,CPM2001-11,SDM2001-24
エピタキシャルAl_2O_3を中間層に用いたSi基板上へのGaN有機金属気相エピタキシャル成長

若原 昭浩,  川村 延伸,  大石 浩司,  吉田 明,  石田 誠,  

[発表日]2001/5/17
[資料番号]ED2001-25,CPM2001-12,SDM2001-25
Ga埋め込みGaN成長による欠陥密度の低減

来正 洋一,  牧野 信也,  大塚 康二,  桑原 憲弘,  角谷 正友,  高野 泰,  福家 俊郎,  

[発表日]2001/5/17
[資料番号]ED2001-26,CPM2001-13,SDM2001-26
青色発光EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価

以西 雅章,  河村 義彦,  笠井 崇史,  石野 健英,  藤安 洋,  

[発表日]2001/5/17
[資料番号]ED2001-27,CPM2001-14,SDM2001-27
組成変換InAs基板上への高In組成比・高品質In_xGa_<1-x>Asブリッジ成長

,  飯田 晋,  小山 忠信,  熊川 征司,  早川 泰弘,  

[発表日]2001/5/17
[資料番号]ED2001-28,CPM2001-15,SDM2001-28
落下塔利用による微小重力環境下における半導体の融解と凝固実験

村上 倫章,  早川 泰弘,  / 柴田 尚弘,  小松 秀輝,  中村 徹郎,  山田 哲生,  小山 忠信,  小澤 哲夫,  岡野 泰則,  宮澤 政文,  熊川 征司,  

[発表日]2001/5/17
[資料番号]ED2001-29,CPM2001-16,SDM2001-29
[OTHERS]

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[発表日]2001/5/17
[資料番号]