エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2001/03/05)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2001/3/5
[資料番号]
目次

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[発表日]2001/3/5
[資料番号]
HF+ヒドラジン溶液処理をしたエピタキシャル(100)ZrN/(100)Si構造上への(100)Ir薄膜の作製

堀井 貞義,  戸田 猛夫,  堀田 將,  

[発表日]2001/3/5
[資料番号]SDM2000-228
MFIS用Al_2O_3/Si_3N_4バッファー層

藤崎 芳久,  石原 宏,  

[発表日]2001/3/5
[資料番号]SDM2000-229
Bi_2SiO_5薄膜物性に及ぼすBi組成の効果

山口 正樹,  長友 隆男,  増田 陽一郎,  

[発表日]2001/3/5
[資料番号]SDM2000-230
ゾルゲル法による(Bi,La)_4Ti_3O_<12>薄膜の作製とMFMIS構造への応用

磯辺 武揚,  徳光 永輔,  木島 健,  石原 宏,  

[発表日]2001/3/5
[資料番号]SDM2000-231
MFISおよびMIFIS構造のメモリ保持特性の解析

高橋 光恵,  児玉 一志,  野田 実,  奥山 雅則,  

[発表日]2001/3/5
[資料番号]SDM2000-232
I層にMgOを用いたMIS及びMFIS構造の作製とその評価

藤沢 浩訓,  村田 周平,  松岡 裕益,  板東 達也,  清水 勝,  丹生 博彦,  

[発表日]2001/3/5
[資料番号]SDM2000-233
エピタキシャルゲート構造を有する強誘電体ゲートFETの試作と電気特性

右田 真司,  坂巻 和男,  熊 四輩,  太田 裕之,  垂井 康夫,  酒井 滋樹,  

[発表日]2001/3/5
[資料番号]SDM2000-234
メモリ用強誘電体材料の構造と誘電特性

島川 祐一,  久保 佳美,  田内 裕基,  神山 崇,  浅野 肇,  

[発表日]2001/3/5
[資料番号]SDM2000-235
[OTHERS]

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[発表日]2001/3/5
[資料番号]