エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2001/02/21)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2001/2/21
[資料番号]
目次

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[発表日]2001/2/21
[資料番号]
GS-MBEの選択成長を用いたc-Si/SiO_2低次元構造の作製

瀬川 徹,  松本 智,  

[発表日]2001/2/21
[資料番号]ED2000-243,SDM2000-197
加工微傾斜基板による周期的多段原子ステップ構造の形成とその応用

小田 康裕,  原田 俊文,  本久 順一,  福井 孝志,  

[発表日]2001/2/21
[資料番号]ED2000-244,SDM2000-198
MBE選択成長によるInGaAsリッジ量子構造の作製とそのデバイス応用

村中 司,  伊藤 章,  江 潮,  長谷川 英機,  

[発表日]2001/2/21
[資料番号]ED2000-245,SDM2000-199
選択成長法によるシリコン基板上へのGaNドット列の作製

山口 雅史,  本田 善央,  澤木 宣彦,  

[発表日]2001/2/21
[資料番号]ED2000-246,SDM2000-200
エピタキシャル弗化物上への位置制御された金属極微細構造の選択形成

山田 聡,  平林 文人,  筒井 一生,  

[発表日]2001/2/21
[資料番号]ED2000-247,SDM2000-201
多層カーボンナノチューブへの不純物拡散と位相反転 : スピン偏極注入

武末 出美,  長谷川 哲郎,  春山 純志,  

[発表日]2001/2/21
[資料番号]ED2000-248,SDM2000-202
n-Si(001)上に形成した極薄絶縁膜/Si界面の超高真空対応非接触C-V法による評価

庄子 亮平,  橋詰 保,  吉田 俊幸,  赤澤 正道,  長谷川 英機,  

[発表日]2001/2/21
[資料番号]ED2000-249,SDM2000-203
Siナノ構造における電界集中とトンネル電流

石川 靖彦,  田部 道晴,  澤田 和明,  石田 誠,  

[発表日]2001/2/21
[資料番号]ED2000-250,SDM2000-204
(111)A面上のInAs/GaAsヘテロ構造と表面電子波のSTM観察

山口 浩司,  蟹沢 聖,  平山 祥郎,  

[発表日]2001/2/21
[資料番号]ED2000-251,SDM2000-205
走査トンネル分光で見たGaAs(001)面上InAs, InGaAs量子ドットの量子サイズ効果と合金化

山内 武志,  大山 泰明,  松葉 康,  田渕 雅夫,  中村 新男,  

[発表日]2001/2/21
[資料番号]ED2000-252,SDM2000-206
静電気力顕微鏡(EFM)によるドーピング超格子構造の表面ポテンシャル観察

片野 由人,  土井 俊洋,  阿部 真一郎,  大野 啓,  陽 完治,  

[発表日]2001/2/21
[資料番号]ED2000-253,SDM2000-207
量子ドット, フォトニック結晶融合構造による光非線形の増強

中村 均,  河本 滋,  / 杉本 喜正,  浅川 潔,  

[発表日]2001/2/21
[資料番号]ED2000-254,SDM2000-208
QMESFETの提案と試作

赤澤 正道,  葛西 誠也,  橋詰 保,  長谷川 英機,  

[発表日]2001/2/21
[資料番号]ED2000-255,SDM2000-209
垂直型ショットキーソースドレインMOSFETの作製

筒井 将史,  長井 利明,  浅田 雅洋,  

[発表日]2001/2/21
[資料番号]ED2000-256,SDM2000-210
シリコン量子ドットフローティングゲートMOS構造の電子注入特性とメモリ機能

香野 淳,  池田 弥央,  村上 秀樹,  宮崎 誠一,  廣瀬 全孝,  

[発表日]2001/2/21
[資料番号]ED2000-257,SDM2000-211
シリコン微結晶を用いたメモリデバイスにおけるドットサイズとサイズのばらつきの影響評価とポテンシャル分布

王 海寧,  間島 秀明,  犬飼 貴士,  後明 寛之,  齋藤 真澄,  平本 俊郎,  

[発表日]2001/2/21
[資料番号]ED2000-258,SDM2000-212
正四面体溝量子ドットを用いた単一量子ドットメモリとその電荷数制御多値メモリ動作

粟野 祐二,  島 昌司,  佐久間 芳樹,  杉山 芳弘,  横山 直樹,  

[発表日]2001/2/21
[資料番号]ED2000-259,SDM2000-213
[OTHERS]

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[発表日]2001/2/21
[資料番号]