エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2001/01/23)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2001/1/23
[資料番号]
目次

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[発表日]2001/1/23
[資料番号]
[CATALOG]

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[発表日]2001/1/23
[資料番号]
ULSI多層配線技術の課題

吉川 公麿,  

[発表日]2001/1/23
[資料番号]SDM2000-187
低誘電率有機膜を用いたCuダマシン多層配線プロセス設計とその実証

林 喜宏,  木下 啓蔵,  多田 宗弘,  宇佐美 達也,  廣井 政幸,  利根川 丘,  柴 和利,  小野寺 貴弘,  田上 政由,  川原 潤,  斎藤 忍,  

[発表日]2001/1/23
[資料番号]SDM2000-188
感光性樹脂を用いたCuダマシンプロセスによるオンチップ厚膜配線

斎藤 國夫,  八木 祥次,  小杉 敏彦,  山口 力,  工藤 和久,  矢野 正樹,  石井 仁,  町田 克之,  久良木 億,  

[発表日]2001/1/23
[資料番号]SDM2000-189
Cu配線におけるグレインおよび微小ボイドの発生

アンソニー ホッブス,  村上 聡,  細田 勉,  大塚 敏志,  宮嶋 基守,  菅谷 慎二,  中村 友二,  

[発表日]2001/1/23
[資料番号]SDM2000-190
ダマシンCu配線における絶縁劣化現象

武田 健一,  日野出 憲治,  

[発表日]2001/1/23
[資料番号]SDM2000-191
低誘電率層間絶縁膜中のリン添加効果によるCuイオンドリフト抑制効果

尾田 智彦,  向川 政治,  青木 倫子,  舟山 徹,  吉川 公麿,  

[発表日]2001/1/23
[資料番号]SDM2000-192
CVD法によるCuめっき用下地膜の真空一貫Barrier/Cu Seed積層成膜

関口 敦,  小出 知昭,  張 敏娟,  國信 隆史,  砂山 英樹,  小林 明子,  鈴木 薫,  肖 石琴,  岡田 修,  

[発表日]2001/1/23
[資料番号]SDM2000-193
Low-k材用の誘電率の理論的導出 : k<1.5の配線プロセスを目指して

福田 琢也,  青井 信雄,  松浦 東,  松永 宏典,  

[発表日]2001/1/23
[資料番号]SDM2000-194
半導体用SiLK^*誘電体樹脂のインテグレーションプロセスへの適応について : ^*ザ・ダウ・ケミカル・カンパニー商標

井田 康暢,  大嶋 明博,  Waeterloos J.,  Mills M.,  Shaffer E.,  Mohler C.,  Castillo D.,  Stokich T.,  Townsend P.,  Radler M.,  Foster K.,  成田 武憲,  

[発表日]2001/1/23
[資料番号]SDM2000-195
新型Low-kシリカ膜 : 高規則性を有した空孔構造

村上 裕彦,  中山 高博,  山川 洋幸,  山田 和弘,  関 伸彰,  玉川 孝一,  

[発表日]2001/1/23
[資料番号]SDM2000-196
[OTHERS]

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[発表日]2001/1/23
[資料番号]