エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2000/10/13)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

,  

[発表日]2000/10/13
[資料番号]
目次

,  

[発表日]2000/10/13
[資料番号]
高効率半導体生産ラインを実現する高性能バックポンプの開発

阿久津 功,  平山 昌樹,  大見 忠弘,  

[発表日]2000/10/13
[資料番号]SDM2000-148
金属表面フッ化不動態皮膜の形成と特性

泉 浩人,  菊永 芳弘,  川脇 理謁,  菊山 裕久,  櫻井 稔久,  大見 忠弘,  

[発表日]2000/10/13
[資料番号]SDM2000-149
高密度Kr/O_2プラズマで低温成膜したシリコン酸化膜、高密度Kr/O_2プラズマ低温照射CVDシリコン酸化膜の膜質に関する研究

高野 順,  斉藤 祐司,  櫻井 稔久,  大見 忠弘,  藪根 辰弘,  

[発表日]2000/10/13
[資料番号]SDM2000-150
Si(100)へのSiH_4分子吸着過程

篠原 正典,  瀬山 顕雄,  鎌倉 望,  木村 康男,  庭野 道夫,  

[発表日]2000/10/13
[資料番号]SDM2000-151
SiGe表面へのSiH_4の吸着過程

鎌倉 望,  瀬山 顕雄,  篠原 正典,  木村 康男,  庭野 道夫,  

[発表日]2000/10/13
[資料番号]SDM2000-152
SiGe選択エピタキシャル成長前の基板表面清浄化方法がHBT特性に与える影響の検討

清田 幸弘,  小田 克矢,  大植 栄司,  速水 礼子,  近藤 将夫,  鷲尾 勝由,  田邊 正倫,  島本 裕巳,  山口 修,  稲田 太郎,  

[発表日]2000/10/13
[資料番号]SDM2000-153
溶液処理におけるシリコン表面上の酸化物生成機構と残留酸化物がシリサイド化反応に与える効果

杉田 義博,  

[発表日]2000/10/13
[資料番号]SDM2000-154
内壁酸化およびゲート酸化にランプ酸化法を用いたシャロートレンチ分離による逆ナローチャネル効果の抑制

塩沢 勝臣,  堀田 勝之,  伊藤 康悦,  梅田 浩司,  内田 哲也,  後藤 欣哉,  黒井 隆,  徳田 安紀,  井上 靖朗,  佐藤 真一,  犬石 昌秀,  

[発表日]2000/10/13
[資料番号]SDM2000-155
Cu/Ti/TiN/Ti構造を有するダマシン配線のエレクトロマイグレーション耐性

阿部 一英,  時藤 俊一,  鉄田 博,  

[発表日]2000/10/13
[資料番号]SDM2000-156
GHz帯携帯電話用シリコンRF-CMOSパワーアンプの高効率化

横山 道央,  立花 良一,  坪内 和夫,  

[発表日]2000/10/13
[資料番号]SDM2000-157
[OTHERS]

,  

[発表日]2000/10/13
[資料番号]