エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2000/05/11)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2000/5/11
[資料番号]
目次

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[発表日]2000/5/11
[資料番号]
Euをイオン注入したGaNの発光特性

中西 康夫,  若原 昭浩,  吉田 明,  大島 武,  伊藤 久義,  

[発表日]2000/5/11
[資料番号]ED2000-16,CPM2000-1,SDM2000-16
MOVPE成長AlGaInN四元混晶の結晶性の評価

小嵜 正芳,  湯川 洋平,  苅谷 道彦,  新田 州吾,  山口 栄雄,  加藤 久喜,  天野 浩,  赤[サキ] 勇,  

[発表日]2000/5/11
[資料番号]ED2000-17,CPM2000-2,SDM2000-17
Al_xGa_N/GaNヘテロ構造における応力緩和過程の成長中その場観察

寺尾 真二,  岩谷 素顕,  中村 亮,  上山 智,  天野 浩,  赤[サキ] 勇,  

[発表日]2000/5/11
[資料番号]ED2000-18,CPM2000-3,SDM2000-18
LSAT基板上GaN薄膜のエピタキシャル成長

吉村 克彦,  角谷 正友,  藤岡 洋,  福家 俊郎,  

[発表日]2000/5/11
[資料番号]ED2000-19,CPM2000-4,SDM2000-19
Al層を挿入したサファイア基板上GaN成長

田中 勝治,  桑原 憲弘,  大塚 康二,  角谷 正友,  高野 泰,  福家 俊郎,  

[発表日]2000/5/11
[資料番号]ED2000-20,CPM2000-5,SDM2000-20
濡れ液からのGaN結晶成長実験

田中 昭,  村上 隼也,  勝野 広宣,  

[発表日]2000/5/11
[資料番号]ED2000-21,CPM2000-6,SDM2000-21
FACELO(ファセット制御ELO)によるGaNの低転位化

水谷 広光,  西山 克哉,  元垣内 敦司,  三宅 秀人,  平松 和政,  家近 泰,  前田 尚良,  

[発表日]2000/5/11
[資料番号]ED2000-22,CPM2000-7,SDM2000-22
ELOによりWN_x電極を埋込むGaN構造の作製と評価

灰野 正紘,  山口 元男,  元垣内 敦司,  三宅 秀人,  平松 和政,  澤木 宣彦,  家近 泰,  前田 尚良,  

[発表日]2000/5/11
[資料番号]ED2000-23,CPM2000-8,SDM2000-23
RIEを用いたダメージによるGaNショットキーダイオード特性とその回復法

中路 雅晴,  石川 博康,  江川 孝志,  神保 孝志,  梅野 正義,  

[発表日]2000/5/11
[資料番号]ED2000-24,CPM2000-9,SDM2000-24
シリコンカーバイドパワーMOSFETs

マルハン ラジェシュ クマール,  

[発表日]2000/5/11
[資料番号]ED2000-25,CPM2000-10,SDM2000-25
高純度SiCのエピタキシャル成長とパワーデバイス応用

木本 恒暢,  矢野 裕司,  田村 聡之,  宮本 直,  藤平 景子,  松波 弘之,  

[発表日]2000/5/11
[資料番号]ED2000-26,CPM2000-11,SDM2000-26
SiCのパルス・レーザープロセス基盤技術と紫外線センサへの応用

中嶋 堅志郎,  

[発表日]2000/5/11
[資料番号]ED2000-27,CPM2000-12,SDM2000-27
水素プラズマ処理をした3C-SiCの深い準位の測定

祖父江 文孝,  加藤 正史,  市村 正也,  荒井 英輔,  徳田 豊,  山田 登,  

[発表日]2000/5/11
[資料番号]ED2000-28,CPM2000-13,SDM2000-28
[OTHERS]

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[発表日]2000/5/11
[資料番号]