エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日：2000/03/09)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2000/3/9
[資料番号]
目次

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[発表日]2000/3/9
[資料番号]
レーザーアブレーション法によるSr_2(Ta_<1-x>, Nb_x)_2O_7薄膜の低温作製と電気的特性

中磯 俊幸,  杉山 秀樹,  野田 実,  奥山 雅則,  

[発表日]2000/3/9
[資料番号]ED99-326,SDM99-219
Bi_2SiO_5/Si構造の作成とその評価

平木 康嗣,  山口 正樹,  長友 隆男,  増田 陽一郎,  

[発表日]2000/3/9
[資料番号]ED99-327,SDM99-220
MBE法を用いた強誘電体YMnO_3薄膜のSi(111)基板上への成長と強誘電体ゲートトランジスタへの応用

今田 将吾,  徳光 永輔,  石原 宏,  

[発表日]2000/3/9
[資料番号]ED99-328,SDM99-221
1 V 動作可能な強誘電体メモリ用SBT膜の形成

奥和田 久美,  斎藤 真美,  

[発表日]2000/3/9
[資料番号]ED99-329,SDM99-222
強誘電体キャパシタにおける分極減衰・ヒステリシス歪曲の温度依存性

嶋田 恭博,  野間 淳史,  大槻 達男,  

[発表日]2000/3/9
[資料番号]ED99-330,SDM99-223
SBT膜を用いた1T1Cスタック型強誘電体メモリセル集積化技術

石原 数也,  山崎 信夫,  奥藤 章,  浦島 仁,  長田 昌也,  

[発表日]2000/3/9
[資料番号]ED99-331,SDM99-224
[OTHERS]

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[発表日]2000/3/9
[資料番号]