エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日：2000/03/08)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

,  

[発表日]2000/3/8
[資料番号]
目次

,  

[発表日]2000/3/8
[資料番号]
酸化物誘電体の"その場"観察成長による成長初期過程の考察 : レーザラマン分光法を用いたTiO_2薄膜の"その場"観察成長

森澤 桐彦,  西田 謙,  村石 修一,  平木 昭夫,  河東田 隆,  

[発表日]2000/3/8
[資料番号]ED99-319,SDM99-212
Pb(Zr, Ti)O_3薄膜を用いたMFIS構造における絶縁体膜の検討 : C-V 及び DLTS法による界面準位密度の測定

藤沢 浩訓,  清水 勝,  丹生 博彦,  

[発表日]2000/3/8
[資料番号]ED99-320,SDM99-213
エピタキシャルZrN膜/(100)Si基板上に形成したPZT薄膜の強誘電体特性

堀井 貞義,  横山 政司,  堀田 將,  

[発表日]2000/3/8
[資料番号]ED99-321,SDM99-214
Pb(Zr, Ti)O_3薄膜成長における気相及びターゲットからの酸素導入の検討

金 済徳,  川越 進也,  佐々木 公洋,  畑 朋延,  

[発表日]2000/3/8
[資料番号]ED99-322,SDM99-215
ゾルゲル法による強誘電体PZTキャパシタ形成とその分極疲労特性

鈴木 薫,  長澤 豊,  木島 健,  

[発表日]2000/3/8
[資料番号]ED99-323,SDM99-216
IrO_2電極膜上におけるPZTの配向成長

齋藤 智子,  石田 純一,  奥和田 久美,  澤邊 厚仁,  

[発表日]2000/3/8
[資料番号]ED99-324,SDM99-217
メモリ用PZT薄膜の開発と応用

中村 孝,  

[発表日]2000/3/8
[資料番号]ED99-325,SDM99-218
[OTHERS]

,  

[発表日]2000/3/8
[資料番号]