エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2000/02/09)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2000/2/9
[資料番号]
目次

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[発表日]2000/2/9
[資料番号]
MOVPE選択成長法を用いた単電子デバイスの作製とその回路応用

中島 史人,  本久 順一,  福井 孝志,  

[発表日]2000/2/9
[資料番号]ED99-290,SDM99-183
集束イオンビームを用いたナノチャネルMOSFETの作製とクーロンブロッケード現象

安田 幸夫,  泉川 健太,  酒井 朗,  財満 鎭明,  

[発表日]2000/2/9
[資料番号]ED99-291,SDM99-184
PLEDM用縦型積層トランジスタ

木須 輝明,  中里 和郎,  

[発表日]2000/2/9
[資料番号]ED99-292,SDM99-185
単電子デバイス用Siナノ構造の酸化

永瀬 雅夫,  藤原 聡,  山崎 謙治,  高橋 庸夫,  栗原 健二,  

[発表日]2000/2/9
[資料番号]ED99-293,SDM99-186
パターン依存酸化(PADOX)法を用いて製作したSi SETにおけるポテンシャルプロファイル形成機構

堀口 誠二,  永瀬 雅夫,  白石 賢二,  影島 博之,  高橋 庸夫,  村瀬 克実,  

[発表日]2000/2/9
[資料番号]ED99-294,SDM99-187
シリコン表面のセルフ・アンジュレーションを利用したサブミクロン単一電子素子

内田 建,  古賀 淳二,  大場 竜二,  高木 信一,  鳥海 明,  

[発表日]2000/2/9
[資料番号]ED99-295,SDM99-188
Siドット薄膜トランジスタメモリ

野本 和正,  / 野口 隆,  碓井 節夫,  森 芳文,  

[発表日]2000/2/9
[資料番号]ED99-296,SDM99-189
Si単電子トランジスタの電圧利得と抵抗負荷型擬似nMOSインバータの性能解析

劉 冠廷,  藤原 聡,  高橋 庸夫,  村瀬 克実,  堀越 佳治,  

[発表日]2000/2/9
[資料番号]ED99-297,SDM99-190
シリコン相補型単電子インバーター : V-PADOX法による作製とその特性評価

小野 行徳,  高橋 庸夫,  山崎 謙治,  永瀬 雅夫,  生津 英夫,  栗原 健二,  村瀬 克実,  

[発表日]2000/2/9
[資料番号]ED99-298,SDM99-191
シリコン単一電子デバイスの集積化による電流スイッチの試作

高橋 信義,  石黒 仁揮,  平本 俊郎,  

[発表日]2000/2/9
[資料番号]ED99-299,SDM99-192
微細MOSFET中のキャリア伝導

川浦 久雄,  阪本 利司,  馬場 寿夫,  

[発表日]2000/2/9
[資料番号]ED99-300,SDM99-193
電子波干渉観測のための固体バイプリズム設計

町田 信也,  古屋 一仁,  

[発表日]2000/2/9
[資料番号]ED99-301,SDM99-194
電子線露光技術を用いた電子波干渉トランジスタの作製とその評価

村田 智洋,  岸本 茂,  前澤 宏一,  水谷 孝,  石井 哲好,  玉村 敏昭,  

[発表日]2000/2/9
[資料番号]ED99-302,SDM99-195
MBE選択成長InGaAsリッジ量子細線の微細構造評価

江 潮,  藤倉 序章,  村中 司,  長谷川 英機,  

[発表日]2000/2/9
[資料番号]ED99-303,SDM99-196
InGaAs量子細線FETから明瞭な負性抵抗の観察

金 成珍,  菅谷 武芳,  小倉 睦郎,  杉山 佳延,  

[発表日]2000/2/9
[資料番号]ED99-304,SDM99-197
InGaAsおよびInAlAs量子ドットを含む2次元電子チャネル伝導特性

川津 琢也,  野田 武司,  金 勲,  永宗 靖,  堀 真一,  入沢 準也,  榊 裕之,  

[発表日]2000/2/9
[資料番号]ED99-305,SDM99-198
[OTHERS]

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[発表日]2000/2/9
[資料番号]