エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:1999/12/09)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]1999/12/9
[資料番号]
目次

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[発表日]1999/12/9
[資料番号]
GeをドープしたSiナノ結晶からの発光(半導体Si及び関連電子材料評価)

歳清 公明,  竹岡 慎治,  藤井 稔,  林 真至,  山本 恵一,  

[発表日]1999/12/9
[資料番号]SDM99-163
常圧CVDによるHMDSを用いたSi基板上への3C-SiCエピタキシャル成長(半導体Si及び関連電子材料評価)

陳 義,  増田 泰一,  / 白藤 立,  西野 茂弘,  

[発表日]1999/12/9
[資料番号]SDM99-164
Selective Epitaxial Growth of Silicon Carbide on Silicon using HMDS

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[発表日]1999/12/9
[資料番号]SDM99-165
Si基板上に形成したBi_2SiO_5薄膜の特性(半導体Si及び関連電子材料評価)

平木 康嗣,  山口 正樹,  長友 隆男,  増田 陽一郎,  

[発表日]1999/12/9
[資料番号]SDM99-166
急速熱処理したTa_2O_5/Si界面のXPS解析(半導体Si及び関連電子材料評価)

山本 和彦,  米田 健司,  藤井 眞治,  

[発表日]1999/12/9
[資料番号]SDM99-167
SOIとバルクにおけるPとBの拡散プロファイルの比較検討(半導体Si及び関連電子材料評価)

浅井 寛,  吉川 泰史,  家木 靖,  内田 秀雄,  市村 正也,  荒井 英輔,  

[発表日]1999/12/9
[資料番号]SDM99-168
化学溶液処理を施したSiウェハ表面の電界印加μ-PCD法による表面状態の評価(半導体Si及び関連電子材料評価)

多田 篤志,  平野 昌志,  市村 正也,  荒井 英輔,  高松 弘行,  住江 信吾,  

[発表日]1999/12/9
[資料番号]SDM99-169
水素導入によるp^+シリコン中の欠陥評価用ショットキダイオードの作製(半導体Si及び関連電子材料評価)

徳田 豊,  浪崎 豊史,  奥村 次徳,  

[発表日]1999/12/9
[資料番号]SDM99-170
Hg/n-Si界面の電子トラップサイト密度測定によるプラズマ誘起Si損傷定量評価(半導体Si及び関連電子材料評価)

江頭 恭子,  江利口 浩二,  橋本 伸,  

[発表日]1999/12/9
[資料番号]SDM99-171
ダイナミックストレスによる低温ポリシリコンTFTの信頼性評価(半導体Si及び関連電子材料評価)

釜谷 智彦,  浦岡 行治,  畑山 智亮,  冬木 隆,  

[発表日]1999/12/9
[資料番号]SDM99-172
フォトレフレクタンス分光法によるゲート酸化膜に導入されたチャージングダメージの光学的評価(半導体Si及び関連電子材料評価)

阿形 眞司,  寒川 雅之,  毎田 修,  江利口 浩二,  藤本 晶,  金島 岳,  奥山 雅則,  

[発表日]1999/12/9
[資料番号]SDM99-173
p-Si(100)上に形成された極薄SiO_2膜の直接トンネル電流(半導体Si及び関連電子材料評価)

北川 康範,  山内 純也,  高見 義則,  松尾 直人,  

[発表日]1999/12/9
[資料番号]SDM99-174
単結晶シリコン薄膜太陽電池のシミュレーショシによる最適化設計(半導体Si及び関連電子材料評価)

山本 幸枝,  石河 泰明,  畑山 智亮,  浦岡 行治,  冬木 隆,  

[発表日]1999/12/9
[資料番号]SDM99-175
擬三次元シミュレーションによる多結晶シリコン薄膜太陽電池の動作解析(半導体Si及び関連電子材料評価)

石河 泰明,  山本 幸枝,  畑山 智亮,  浦岡 行治,  冬木 隆,  

[発表日]1999/12/9
[資料番号]SDM99-176
複写される方へ

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[発表日]1999/12/9
[資料番号]
Notice about photocopying

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[発表日]1999/12/9
[資料番号]
奥付

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[発表日]1999/12/9
[資料番号]