エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:1999/03/10)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]1999/3/10
[資料番号]
目次

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[発表日]1999/3/10
[資料番号]
基板バイアス効果の大きい高性能EIB-DTMOSの提案と実証

高宮 真,  平本 俊郎,  

[発表日]1999/3/10
[資料番号]SDM98-210
SOI基板における不純物分布のデバイス特性への影響

石山 俊彦,  松本 聡,  谷内 利明,  

[発表日]1999/3/10
[資料番号]SDM98-211
自己整合外部ベース形成技術を用いた横型SOIバイポーラ素子

篠 智彰,  井納 和美,  山田 敬,  新居 英明,  川中 繁,  布施 常明,  吉見 信,  勝又 康弘,  渡辺 重佳,  松永 準一,  

[発表日]1999/3/10
[資料番号]SDM98-212
PtSiショットキー障壁 SOI-MOSFET

落合 保博,  浅野 種正,  

[発表日]1999/3/10
[資料番号]SDM98-213
SIPOS膜を挟んだSOI基板を用いた1200V素子の電気特性

平山 敬三,  山口 好広,  舟木 英之,  中川 明夫,  

[発表日]1999/3/10
[資料番号]SDM98-214
MOS型パワーデバイスの最新開発動向

桜井 建弥,  

[発表日]1999/3/10
[資料番号]SDM98-215
SOI CMOSの現状と展望

土屋 敏章,  

[発表日]1999/3/10
[資料番号]SDM98-216
絶縁破壊後の抵抗値統計分布に着目した薄いシリコン酸化膜の絶縁破壊機構の考察

佐竹 秀喜,  鳥海 明,  

[発表日]1999/3/10
[資料番号]SDM98-217
コンタクトエッチでのチャージングダメージによるゲート破壊について

大西 哲也,  樋上 佳則,  鍵沢 篤,  

[発表日]1999/3/10
[資料番号]SDM98-218
バイアス・温度(BT)処理を用いたnMOSFET/SIMOXの特性改善

小泉 弘,  嶋屋 正一,  土屋 敏章,  

[発表日]1999/3/10
[資料番号]SDM98-219
MNOS構造のトータルドーズ効果における絶縁膜厚依存性

藤巻 剛,  大西 一功,  高橋 芳浩,  吉川 正人,  

[発表日]1999/3/10
[資料番号]SDM98-220
SOI-MOSFETによる光検出

中村 弘幸,  浅野 種正,  

[発表日]1999/3/10
[資料番号]SDM98-221
Ta/SiO_2界面反応層がタンタルゲートMOSデバイスの特性に与える影響

河合 邦浩,  牛木 健雄,  大嶋 一郎,  大見 忠弘,  

[発表日]1999/3/10
[資料番号]SDM98-222
[OTHERS]

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[発表日]1999/3/10
[資料番号]