エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日：1999/02/16)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]1999/2/16
[資料番号]
目次

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[発表日]1999/2/16
[資料番号]
[CATALOG]

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[発表日]1999/2/16
[資料番号]
交互供給MOCVD法によるBi_4Ti_3O_<12>薄膜の低温作製

上野 智雄,  紺野 哲豊,  上谷 愛,  岩崎 好孝,  

[発表日]1999/2/16
[資料番号]ED98-246
プラズマプロセスを用いた溶液気化MOCVD法によるSrBi_2Ta_2O_9薄膜の作製

神保 武人,  佐野 春行,  舟窪 浩,  徳光 永輔,  石原 宏,  

[発表日]1999/2/16
[資料番号]ED98-247
MOCVD-Pb(Zr,Ti)O_3薄膜の電気的特性のグレインサイズ依存性

藤沢 浩訓,  中嶋 誠二,  清水 勝,  丹生 博彦,  

[発表日]1999/2/16
[資料番号]ED98-248
200nmPLZTスパッタ薄膜の強誘電特性

鄒 紅[コウ],  

[発表日]1999/2/16
[資料番号]ED98-249
レーザーアブレーション法によるZnO:X薄膜の作製と誘電特性

志村 環,  若野 寿史,  藤村 紀文,  伊藤 太一郎,  

[発表日]1999/2/16
[資料番号]ED98-250
パルスレーザ堆積法によるII-VI族 (ZnO及びカルコゲナイド系) ワイドギャップ半導体のSi基板上への薄膜形成とその強誘電特性

堀田 育志,  松井 英章,  Joseph Mathew,  田畑 仁,  川合 知二,  

[発表日]1999/2/16
[資料番号]ED98-251
(100)YSZ/(100)Si基板構造上にスパッタ法により形成したヘテロエピタキシャル(100)Ir及び(001)PZT薄膜の膜質特性

堀田 將,  堀井 貞義,  

[発表日]1999/2/16
[資料番号]ED98-252
Sr_<1-x>Bi_<2+y>Ta_2O_9薄膜を用いたMFIS構造の電気的特性

杉山 秀樹,  野田 実,  奥山 雅則,  

[発表日]1999/2/16
[資料番号]ED98-253
Si基板上に形成したBi_4Ti_3O_<12>2強誘電体薄膜の電気的特性

木島 健,  

[発表日]1999/2/16
[資料番号]ED98-254
STN薄膜を用いたMFMIS FETの電気特性

中村 孝,  藤森 敬和,  高須 秀視,  

[発表日]1999/2/16
[資料番号]ED98-255
RMn0_3(R: rare earth element)/Y_2O_3/SiのC-V特性の解析

吉村 武,  伊藤 大輔,  藤村 紀文,  伊藤 太一郎,  

[発表日]1999/2/16
[資料番号]ED98-256
[OTHERS]

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[発表日]1999/2/16
[資料番号]