エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:1998/12/10)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]1998/12/10
[資料番号]
目次

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[発表日]1998/12/10
[資料番号]
平坦性の異なるSi(111)表面のフォトレフレクタンス評価

阿形 眞司,  和田 秀夫,  江利口 浩二,  藤本 晶,  金島 岳,  奥山 雅則,  

[発表日]1998/12/10
[資料番号]SDM98-167
反射μ波光導電減衰法での外部電解による表面再結合の制御

平野 昌志,  加藤 直樹,  市村 正也,  荒井 英輔,  高松 弘行,  住江 伸吾,  

[発表日]1998/12/10
[資料番号]SDM98-168
多数キャリア密度の温度依存性を用いた新しい評価方法によるSiC中のドナー評価

松浦 秀治,  木本 恒暢,  松波 弘之,  

[発表日]1998/12/10
[資料番号]SDM98-169
貼り合わせSOI中の過剰キャリアライフタイムの温度依存性

平野 昌志,  山内 功次,  市村 正也,  荒井 英輔,  

[発表日]1998/12/10
[資料番号]SDM98-170
プラズマ暖用CVDによって成長した太陽電池用単結晶シリコン薄膜の電気的特性

黒部 憲一,  冬木 隆,  松波 弘之,  

[発表日]1998/12/10
[資料番号]SDM98-171
イオン衝突によるシリコン表面欠陥の高温STM観察

瀬木 利夫,  松尾 二郎,  山田 公,  

[発表日]1998/12/10
[資料番号]SDM98-172
水素終端Si(111)表面の大気中初期酸化のAFM観察とその分子軌道解析

岡田 則男,  弓達 新治,  金島 岳,  奥山 雅則,  西原 功修,  

[発表日]1998/12/10
[資料番号]SDM98-173
極薄Si酸化膜の直接トンネル伝導の解析

三浦 隆司,  松尾 直人,  山内 純也,  北川 康範,  三好 正毅,  

[発表日]1998/12/10
[資料番号]SDM98-174
ECRリモートプラズマ法を用いた極薄SiO_2膜の低温形成

森泉 和也,  植田 康之,  冬木 隆,  松波 弘之,  

[発表日]1998/12/10
[資料番号]SDM98-175
イオン注入による薄膜ゲート酸化膜のチャージアップ

庭山 雅彦,  久保 裕子,  米田 健司,  

[発表日]1998/12/10
[資料番号]SDM98-176
RTA処理がキャリアライフタイムに与える影響

久保 裕子,  石長 篤,  米田 健司,  

[発表日]1998/12/10
[資料番号]SDM98-177
Siナノ結晶を埋め込んだSiO_2薄膜の単一電子トンネリング

田中 篤嗣,  井上 翼,  藤井 稔,  林 真至,  山本 恵一,  

[発表日]1998/12/10
[資料番号]SDM98-178
HMDSO添加のフロロカーボンプラズマを用いた低誘電率絶縁膜のCVD

白藤 立,  宮崎 康雄,  林 康明,  西野 茂弘,  

[発表日]1998/12/10
[資料番号]SDM98-179
放電電流過渡分光法によるSi上のBST薄膜のトラップ評価

長谷 貴志,  松浦 秀治,  

[発表日]1998/12/10
[資料番号]SDM98-180
シリコンへのジボランイオン注入における水素分子イオンのボロン分布への影響

横田 勝弘,  西村 英敏,  寺田 耕一郎,  中村 和広,  酒井 滋樹,  丹上 正安,  高野 弘道,  熊谷 正夫,  

[発表日]1998/12/10
[資料番号]SDM98-181
デカボランイオン注入による損傷の形成とその増速拡散への影響

草場 拓也,  瀬木 利夫,  青木 学聡,  松尾 二郎,  加勢 正隆,  後藤 賢一,  杉井 寿博,  山田 公,  

[発表日]1998/12/10
[資料番号]SDM98-182
4端子MOSFETの横方向磁界による磁気抵抗効果

水川 信之,  松永 宏治,  平井 貞喜,  大鉢 忠,  谷口 一郎,  

[発表日]1998/12/10
[資料番号]SDM98-183
[OTHERS]

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[発表日]1998/12/10
[資料番号]