エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:1998/08/20)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]1998/8/20
[資料番号]
目次

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[発表日]1998/8/20
[資料番号]
高密度プラズマによる高品質シリコン直接酸化技術

海原 竜,  平山 昌樹,  大見 忠弘,  

[発表日]1998/8/20
[資料番号]SDM98-114
高密度プラズマを用いたシリコン直接窒化膜の低温形成

関根 克行,  斉藤 祐司,  平山 昌樹,  大見 忠弘,  

[発表日]1998/8/20
[資料番号]SDM98-115
シリカ表面への希ガス照射過程に関する分子動力学的検討

三浦 隆治,  小野津 崇之,  / 久保 百司,  寺石 和夫,  宮本 明,  斉藤 祐司,  海原 竜,  関根 克行,  平山 昌樹,  大見 忠弘,  

[発表日]1998/8/20
[資料番号]SDM98-116
シリコン表面の酸化反応ポテンシャル曲面の計算

寺石 和夫,  山田 有場,  遠藤 明,  軍司 勲男,  Ammal S.S.C.,  久保 百司,  宮本 明,  北島 正弘,  

[発表日]1998/8/20
[資料番号]SDM98-117
Tight-binding分子動力学法を用いたSi表面の酸化過程におけるSiOの脱離挙動

山田 有場,  遠藤 明,  高羽 洋充,  寺石 和夫,  久保 百司,  S.Sslai.C. Ammal,  宮本 明,  北島 正弘,  

[発表日]1998/8/20
[資料番号]SDM98-118
NF_3とSi基板の相互作用:密度汎関数法による検討

遠藤 明,  山田 有場,  Ammal S.Salai C.,  久保 百司,  寺石 和夫,  宮本 明,  北島 正弘,  Little Thomas W.,  Ohuchi Fumio S.,  

[発表日]1998/8/20
[資料番号]SDM98-119
SiH_x(CH_3)_<4-x>分子のSi表面吸着過程の赤外反射分光解析

篠原 正典,  庄子 大生,  前濱 剛廣,  赤間 洋助,  庭野 道夫,  

[発表日]1998/8/20
[資料番号]SDM98-120
NH_3におよるSi(100)の原子層熱窒化過程

渡辺 健,  櫻庭 政夫,  松浦 孝,  室田 淳一,  

[発表日]1998/8/20
[資料番号]SDM98-121
WF_6-SiH_4系によるWの低温選択成長初期過程

山本 裕司,  松浦 孝,  室田 淳一,  

[発表日]1998/8/20
[資料番号]SDM98-122
[OTHERS]

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[発表日]1998/8/20
[資料番号]