エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日：1998/07/24)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]1998/7/24
[資料番号]
目次

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[発表日]1998/7/24
[資料番号]
酸素活性種を用いた極薄SiO_2膜の低温形成と過度放電電流法による膜内電子トラップの解析

森泉 和也,  二山 拓也,  植田 康之,  冬木 隆,  松波 弘之,  

[発表日]1998/7/24
[資料番号]SDM98-92,ICD98-91
UV-O_2酸化を用いた低温ゲート酸化膜形成

寺本 章伸,  大野 吉和,  三好 寛和,  

[発表日]1998/7/24
[資料番号]SDM98-93,ICD98-92
A Study on Junction Profile near Si/Oxide Interface due to Transient Enhanced Diffusion Effect in MOSFET

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[発表日]1998/7/24
[資料番号]SDM98-94,ICD98-93
Reduction of junction leakage current and sheet resistance using C-49 TiSi_2 as a diffusion source

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[発表日]1998/7/24
[資料番号]SDM98-95,ICD98-94
不純物注入によるWSix単層ゲート電極の仕事関数制御

小松 祐司,  宮沢 芳宏,  

[発表日]1998/7/24
[資料番号]SDM98-96,ICD98-95
Integration of Hydrogen Silsesquioxane (HSQ) as an Intermetal Dielectric (IMD) Material for 0.35μm Technology

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[発表日]1998/7/24
[資料番号]SDM98-97,ICD98-96
光近接補正にたいする超薄膜レジストの近似モデル

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[発表日]1998/7/24
[資料番号]SDM98-98,ICD98-97
TSI工程によるアイソレイシン構造の具現

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[発表日]1998/7/24
[資料番号]SDM98-99,ICD98-98
白金電極の配向性がゾル・ゲル法により作製したSrBi_2Ta_2O_9薄膜特性に与える影響

小岩 一郎,  加藤 博代,  金原 隆雄,  橋本 晃,  澤田 佳宏,  一ノ瀬 昇,  逢坂 哲彌,  

[発表日]1998/7/24
[資料番号]SDM98-100,ICD98-99
Sr_2Bi_2TaO_9薄膜の成膜におけるゾルーゲル法の利点

澤田 佳宏,  橋本 晃,  小岩 一郎,  加藤 博代,  金原 隆雄,  逢坂 哲彌,  

[発表日]1998/7/24
[資料番号]SDM98-101,ICD98-100
Effect of SOG(Spin on Glass)on formation of PbZr_0.52Ti_0.48O_3 for Metal-Ferroelectric-Insulator-Semiconductor(MFIS) structure

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[発表日]1998/7/24
[資料番号]SDM98-102,ICD98-101
MBE法による強誘電体YMnO_3薄膜のSi(111)基板上への成長

今田 将吾,  正力 重仁,  徳光 永輔,  石原 宏,  

[発表日]1998/7/24
[資料番号]SDM98-103,ICD98-102
Bi_2SiO_5バッファ層を用いてSi基板上に形成したBi_4Ti_3O_12強誘電体薄膜の電気的特性

木島 健,  松永 宏典,  

[発表日]1998/7/24
[資料番号]SDM98-104,ICD98-103
Formation of Ferroelectric Thin Films for MFIS or MFMIS Structure

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[発表日]1998/7/24
[資料番号]SDM98-105,ICD98-104
A Low Operating Voltage(3V)Metal-Ferroelectric-Semiconductor(MFS)FET's Using LiNbO_3/Si(100)Structures For Nonvolatile Memory Application

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[発表日]1998/7/24
[資料番号]SDM98-106,ICD98-105
自己参照型読み出し方式1T/1C FeRAM

山田 淳一,  三輪 達,  小池 洋紀,  豊島 秀雄,  

[発表日]1998/7/24
[資料番号]SDM98-107,ICD98-106
ナノクリスタルシリコンによる単電子デバイス

小田 俊理,  アミット ダッタ,  

[発表日]1998/7/24
[資料番号]SDM98-108,ICD98-107
A New Insight of MOSFET's for Low Power Circuit Applications

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[発表日]1998/7/24
[資料番号]SDM98-109,ICD98-108
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