エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:1998/05/22)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]1998/5/22
[資料番号]
目次

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[発表日]1998/5/22
[資料番号]
[CATALOG]

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[発表日]1998/5/22
[資料番号]
リモートプラズマMOCVDによるCdZnTeのエピタキシャル成長とドーピング法

野田 大二,  青木 徹,  中西 洋一郎,  畑中 義式,  

[発表日]1998/5/22
[資料番号]
有機金属気相成長CdZnTeのヨウ素ドーピング特性(II)

犬飼 文人,  浅井 良彦,  二村 徹,  宮田 充宜,  荒木 紀明,  安田 和人,  

[発表日]1998/5/22
[資料番号]
有機金属気相成長CdTe層のドライエッチング特性の検討

二村 徹,  浅井 良彦,  犬飼 文人,  荒木 紀明,  宮田 充宜,  安田 和人,  

[発表日]1998/5/22
[資料番号]
融液成長ZnSe結晶の格子定数の絶対測定 : Zn分圧下でのその場熱処理による格子定数の変化

鵜殿 治彦,  菊間 勲,  岡田 安正,  

[発表日]1998/5/22
[資料番号]
A1_2O_3(11-20)基板上へのInNへテロエピタキシャル成長

斎木 久雄,  大西 正人,  嶋田 香志,  玄番 潤,  若原 昭浩,  吉田 明,  

[発表日]1998/5/22
[資料番号]
MOCVD法によるGaN成長におけるサファイア基板窒化の効果

伊藤 孝浩,  勅使川原 秀多,  柳原 将貴,  大塚 康二,  桑原 憲弘,  角谷 正友,  高野 泰,  福家 俊郎,  

[発表日]1998/5/22
[資料番号]
有機シリコン材料を用いたリモートプラズマCVD法によるSiC薄膜の低温成長

徐 應瑜,  村松 隆広,  青木 徹,  中西 洋一郎,  畑中 義式,  

[発表日]1998/5/22
[資料番号]
Si基板上に成長させた3C-SiCの容量DLTS法による評価 : 室温以上の温度域であらわれる欠陥

加藤 正史,  古賀 祥泰,  市村 正也,  荒井 英輔,  山田 登,  

[発表日]1998/5/22
[資料番号]
Ga_xIn_<1-x>P:Er(0≦x≦1)における発光特性のGa組成依存性

川本 武司,  伊藤 隆,  市田 正夫,  渡邉 修,  山川 市朗,  藤原 康文,  中村 新男,  竹田 美和,  

[発表日]1998/5/22
[資料番号]
自己形成InAs量子ドットのホールバーニングメモリ応用

杉山 芳弘,  中田 義昭,  武藤 俊一,  堀口 直人,  二木 俊郎,  粟野 祐二,  横山 直樹,  

[発表日]1998/5/22
[資料番号]
水素プラズマによるGaAs/Siのパッシベ-ション効果

王 鋼,  曽我 哲夫,  神保 孝志,  梅野 正義,  

[発表日]1998/5/22
[資料番号]
真空紫外光励起による半導体表面光化学反応の基礎研究

早川 崇則,  細川 修,  吉越 章隆,  若原 昭浩,  吉田 明,  

[発表日]1998/5/22
[資料番号]
フッ素及び励起窒素処理による酸化膜表面窒化プロセス

森 右京,  瀧川 佳奈,  齋藤 洋司,  

[発表日]1998/5/22
[資料番号]
励起無水フッ化水素による自然酸化膜の選択的エッチング

山崎 博史,  小笠原 將光,  中澤 豊,  齋藤 洋司,  

[発表日]1998/5/22
[資料番号]
シリコン窒化酸化過程の角度分解光電子分光解析

鈴木 勝之,  猪口 純康,  齋藤 洋司,  

[発表日]1998/5/22
[資料番号]
電圧ランプ法により求めた破壊電圧からのゲート酸化膜寿命予測

渡辺 行彦,  副島 成雅,  吉田 友幸,  光嶋 康一,  

[発表日]1998/5/22
[資料番号]
Bイオン注入によって誘起されるOSFと酸化膜信頼性との関係

中嶋 健次,  渡辺 行彦,  船橋 博文,  吉田 友幸,  光嶋 康一,  

[発表日]1998/5/22
[資料番号]
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