エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:1998/02/19)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]1998/2/19
[資料番号]
目次

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[発表日]1998/2/19
[資料番号]
完全空乏化型薄層SOIパワーMOSFET

松本 聡,  谷内 利明,  

[発表日]1998/2/19
[資料番号]
選択W-CVDプロセスを導入した完全空乏型極薄膜CMOS/SIMOXゲートアレイLSI

佐藤 康博,  小杉 敏彦,  門 勇一,  土屋 敏章,  大野 晃計,  石井 仁,  西村 和好,  

[発表日]1998/2/19
[資料番号]
横型SOI Diodeの各種アノード構造によるリカバリ特性改善

延藤 慎治,  渡部 毅代登,  秋山 肇,  日根 史郎,  

[発表日]1998/2/19
[資料番号]
横型SOI高速ダイオードの逆回復特性

平山 敬三,  舟木 英之,  山口 好広,  中川 明夫,  

[発表日]1998/2/19
[資料番号]
部分空乏型SOI MOSFETのターンオフ電流の3次元シミュレーション

池田 隆英,  樋口 久幸,  大倉 康幸,  若原 祥史,  

[発表日]1998/2/19
[資料番号]
部分空乏型SOI MOSFETの過渡応答を用いたサブバンドギャップインパクトイオン化電流の高感度測定法

更屋 拓哉,  高宮 真,  トラン・ゴック デュエト,  平本 俊郎,  

[発表日]1998/2/19
[資料番号]
薄いシリコン酸化膜の信頼性劣化機構に関する考察

佐竹 秀喜,  鳥海 明,  

[発表日]1998/2/19
[資料番号]
薄膜SOI素子におけるソース/ドレイン間リーク電流の解析

川中 繁,  恩賀 伸二,  岡田 多佳子,  篠 智彰,  寺内 衛,  山田 敬,  吉見 信,  渡辺 重佳,  

[発表日]1998/2/19
[資料番号]
SOI構造における重イオン誘起電荷の測定

平尾 敏雄,  塩野 登,  穴山 汎,  根本 規生,  梨山 勇,  大西 一功,  松田 純夫,  

[発表日]1998/2/19
[資料番号]
SOI構造におけるゲート酸化膜のプロセスチャージングによる劣化メカニズム

占部 大三,  上田 多加志,  大西 哲也,  沖 敏男,  A.O. Adan,  鍵沢 篤,  

[発表日]1998/2/19
[資料番号]
Ta_2O_5/SiO_2をゲート絶縁膜に用いた微細nMOSFETの試作

籾山 陽一,  南方 浩志,  杉井 寿博,  

[発表日]1998/2/19
[資料番号]
シリコン酸化膜の絶縁破壊に対する電子と正孔の共存の必要性実証

佐竹 秀喜,  高木 信一,  鳥海 明,  

[発表日]1998/2/19
[資料番号]
ゲート電極材料のスパッタリング成膜時におけるゲート酸化膜へのダメージの評価

河合 邦浩,  牛木 健雄,  余謨群,  篠原 壽邦,  森田 瑞穂,  大見 忠弘,  

[発表日]1998/2/19
[資料番号]
[OTHERS]

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[発表日]1998/2/19
[資料番号]