エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:1998/01/23)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]1998/1/23
[資料番号]
目次

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[発表日]1998/1/23
[資料番号]
有機シラン/過酸化水素反応による低誘電率自己平坦化CVDプロセス

松浦 正純,  

[発表日]1998/1/23
[資料番号]SDM97-178
イオン注入有機SOG膜を用いた低誘電率層間絶縁膜形成技術

実沢 佳居,  松原 直輝,  渡辺 裕之,  岡山 芳央,  水原 秀樹,  谷本 伸一,  井上 恭典,  花房 寛,  吉年 慶一,  

[発表日]1998/1/23
[資料番号]SDM97-179
フルオロシランを用いたHDP-CVDによる高信頼SiOF膜形成

福田 琢也,  細川 隆,  佐々木 英二,  小林 伸好,  

[発表日]1998/1/23
[資料番号]SDM97-180
配線中チタンの水素吸蔵に依るトランジスタ特性への影響

山葉 隆久,  平出 誠治,  舛岡 富士雄,  

[発表日]1998/1/23
[資料番号]SDM97-181
配線の信頼性、信頼性に関連した歩留りを考慮したギガビットDRAMの設計法

渡辺 重佳,  

[発表日]1998/1/23
[資料番号]SDM97-182
Ti密着層を用いたAl-Si-Cu埋め込みヴィアのエレクトロマイグレーション

影山 麻樹子,  橋本 圭市,  鉄田 博,  

[発表日]1998/1/23
[資料番号]SDM97-183
Alメタライゼーション系へのAl_3Hf/Hf積層膜の拡散バリヤとしての適用

新海 聡子,  佐々木 克孝,  阿部 良夫,  柳沢 英人,  

[発表日]1998/1/23
[資料番号]SDM97-184
F_2 (Ar) プラズマ前処理を用いたTiN上への選択Wヴィアプラグ形成

梶田 明広,  東 和幸,  松永 範昭,  柴田 英毅,  福原 成太,  大宅 克彦,  益川 和之,  大塚 賢一,  

[発表日]1998/1/23
[資料番号]SDM97-185
[OTHERS]

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[発表日]1998/1/23
[資料番号]