エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:1997/09/25)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]1997/9/25
[資料番号]
目次

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[発表日]1997/9/25
[資料番号]
2次元プロセスシミュレータ用汎用拡散スキームの開発

熊代 成孝,  坂本 浩則,  

[発表日]1997/9/25
[資料番号]SDM97-104
過渡的増速拡散のシミュレーション

植松 真司,  

[発表日]1997/9/25
[資料番号]SDM97-105
有限要素法による2次元プロセスシミュレータFFEASTへの過渡増速拡散モデルの導入

杉安 統行,  鈴木 腕,  小島 修一,  大山 泰,  後藤 広志,  

[発表日]1997/9/25
[資料番号]SDM97-106
nMOSFET反転層移動度における局所電界モデルの経験的手法による高精度化

田中 琢爾,  山口 清一郎,  金田 博幸,  後藤 広志,  

[発表日]1997/9/25
[資料番号]SDM97-107
格子依存性を緩和した反転層移動度モデル

遠田 利之,  執行 直之,  

[発表日]1997/9/25
[資料番号]SDM97-108
CCD基本特性自動解析シミュレータの開発

立川 景士,  梅田 卓也,  岡田 裕幸,  小田 嘉則,  大原 完治,  

[発表日]1997/9/25
[資料番号]SDM97-109
「半導体製造プロセス大規模シミュレーション実験(Virtual Wafer Fab.)の展開」 : TCADドリブンECADによる効率的開発支援システムの構築

蒲原 格,  Strachan Andy,  Mueller Stephan,  Pesic Ivan,  

[発表日]1997/9/25
[資料番号]SDM97-110
TCADの課題と今後の研究の方法

小谷 教彦,  

[発表日]1997/9/25
[資料番号]SDM97-111
TCADを用いたMOSFETの感度・統計解析

執行 直之,  森下 哲至,  菅原 謙一,  脇田 直樹,  朝日 良典,  

[発表日]1997/9/25
[資料番号]SDM97-112
TCADを用いた半導体製造プロセスの最適化

三浦 規之,  福田 浩一,  西 謙二,  

[発表日]1997/9/25
[資料番号]SDM97-113
TCADを構成するプロセスシミュレータの開発期間短縮手法の提案 : 標準ライブラリの開発とそれを用いた汎用プロセスシミュレータ

中村 光利,  中内 孝浩,  福田 寿一,  楠 直樹,  金村 貴永,  福田 早苗,  

[発表日]1997/9/25
[資料番号]SDM97-114
低消費電力用完全空乏型SOI MOSFETのスケーリング指針とBulk MOSFETとの比較

高宮 真,  安田 有里,  平本 俊郎,  

[発表日]1997/9/25
[資料番号]SDM97-115
フローティングボディ型SOI MOSFETにおける正孔引き抜き機構のシミュレーション評価

野瀬 浩一,  池野 理門,  浅田 邦博,  

[発表日]1997/9/25
[資料番号]SDM97-116
デバイスシミュレータの収束性とSOIMOSFETフローティングボデイ効果

斉藤 猛,  鳥谷部 達,  

[発表日]1997/9/25
[資料番号]SDM97-117
[OTHERS]

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[発表日]1997/9/25
[資料番号]