エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:1997/08/25)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]1997/8/25
[資料番号]
目次

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[発表日]1997/8/25
[資料番号]
時間に依存した酸化膜破壊機構と量子物理化学

木村 幹広,  

[発表日]1997/8/25
[資料番号]SDM97-82
W及びTiの洗浄液中での溶解と再付着の検討

和氣 智子,  山本 賢一,  長谷 潮,  辻 幹生,  青木 秀充,  青砥 なほみ,  

[発表日]1997/8/25
[資料番号]SDM97-83
Si(100)表面の水素終端化に及ぼすBHF処理の影響

長田 利哲,  川澤 吉雄,  石田 彰一,  宮本 光雄,  宮崎 誠一,  廣瀬 全孝,  

[発表日]1997/8/25
[資料番号]SDM97-84
Si表面上水素吸着・脱離過程の赤外分光"その場"観察

久下 純子,  寺師 三哉子,  庭野 道夫,  

[発表日]1997/8/25
[資料番号]SDM97-85
純水中Si表面の反応プロセス : 酸化と水素置換

庭野 道夫,  田所 真一,  宮本 信雄,  

[発表日]1997/8/25
[資料番号]SDM97-86
非接触型液質計による溶液の評価

外塚 聖享,  都田 昌之,  白井 宏,  江原 勝夫,  原田 康之,  

[発表日]1997/8/25
[資料番号]SDM97-87
UV/Cl_2ドライクリーニングメカニズム : 表面Fe汚染除去におけるSiCl_4の効果

杉野 林志,  奥井 芳子,  滋野 真弓,  大久保 聡,  高崎 金剛,  伊藤 隆司,  

[発表日]1997/8/25
[資料番号]SDM97-88
水素を通して見たSiガスソースMBEの表面化学

中澤 日出樹,  末光 眞希,  

[発表日]1997/8/25
[資料番号]SDM97-89
Si(100):P表面へのSiH_4、Si_2H_6吸着過程

築舘 厳和,  中澤 日出樹,  末光 眞希,  

[発表日]1997/8/25
[資料番号]SDM97-90
Al CVDにおけるアルミ有機金属ソースガスの比較

松橋 秀樹,  李 昌勲,  益 一哉,  坪内 和夫,  

[発表日]1997/8/25
[資料番号]SDM97-91
[OTHERS]

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[発表日]1997/8/25
[資料番号]