エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日：1997/07/24)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]1997/7/24
[資料番号]
CONTENTS

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[発表日]1997/7/24
[資料番号]
The Study on the Reaction Mechanism of HDP-SiOF Film and Inter-Metal-Dielectric Application

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[発表日]1997/7/24
[資料番号]SDM97-43
TiSi_2の結晶粒径と配向性がC49-C54相変態に与える影響 : プリアモルファス化注入による相変態促進機構の検討

中村 友二,  富田 博文,  池田 和人,  

[発表日]1997/7/24
[資料番号]SDM97-44
a-Si/Ti ローカル配線での相互拡散, 寄生容量低減の解析

井田 次郎,  大友 篤,  森川 剛一,  鉄田 博,  

[発表日]1997/7/24
[資料番号]SDM97-45
Simulated Performance of ArF Excimer Laser Lithography Optics

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[発表日]1997/7/24
[資料番号]SDM97-46
Environmentally stable chemically amplified positive resist containing vinyllactam terpolymers

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[発表日]1997/7/24
[資料番号]SDM97-47
Study On Characteristics of Ge Based ARL for DUV Lithography

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[発表日]1997/7/24
[資料番号]SDM97-48
Characteristics of MOCVD-Cu Films Using Direct Liquid Injection and the Effects of Post-annealing

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[発表日]1997/7/24
[資料番号]SDM97-49
Cleaning Method using H_2O_2 Buffing after Selective Silicon CMP

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[発表日]1997/7/24
[資料番号]SDM97-50
Effects of Low Resistivity TiN as a Wetting Layer on Submicron Via Contact Filling Process

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[発表日]1997/7/24
[資料番号]SDM97-51
Characterizations of Ferroelectric Transistors with BaMgF_4 Dielectric

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[発表日]1997/7/24
[資料番号]SDM97-52
Semi-empirical Device and Circuit Models for Ferroelectrics

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[発表日]1997/7/24
[資料番号]SDM97-53
(窒素+リン)同時ドープ非晶質シリコンによるフラッシュメモリの新規浮遊電極

金岡 竜範,  安間 正俊,  伊藤 博巳,  大野 吉和,  平山 誠,  

[発表日]1997/7/24
[資料番号]SDM97-54
DRAMデータ保持時間分布の統計力学解析

平岩 篤,  小笠原 誠,  夏秋 信義,  伊藤 豊,  岩井 秀俊,  

[発表日]1997/7/24
[資料番号]SDM97-55
Implementation of 155.52Mbps Physical Layer Processor for ATM Applications

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[発表日]1997/7/24
[資料番号]SDM97-56
ニューロン回路用発振回路とMOSFETマトリックスのSOI基板上への作製

尹 聖民,  永田 康成,  呉 貞姫,  徳光 永輔,  石原 宏,  

[発表日]1997/7/24
[資料番号]SDM97-57
Implementation of Modem ASIC for CDMA/FM dual-mode Cellular Mobile Phone

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[発表日]1997/7/24
[資料番号]SDM97-58
高速書込みを実現する新多値メモリセル方式

竹内 健,  田中 智晴,  丹沢 徹,  

[発表日]1997/7/24
[資料番号]SDM97-59
±60ps位相合わせ精度の高速DRAM用多位相出力デジタル制御DLL

若山 繁俊,  後藤 公太郎,  斎藤 美寿,  小川 淳二,  田村 泰孝,  岡島 義憲,  田口 眞男,  

[発表日]1997/7/24
[資料番号]
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