エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:1997/04/24)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]1997/4/24
[資料番号]
目次

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[発表日]1997/4/24
[資料番号]
30nmゲート長EJ-MOSFETの作製

川浦 久雄,  阪本 利司,  馬場 寿夫,  落合 幸徳,  藤田 淳一,  松井 真二,  曽根 純一,  

[発表日]1997/4/24
[資料番号]ED97-1,SDM97-1
ドライエッチング後の微細コンタクトホール内の洗浄技術

宮本 光雄,  石田 彰一,  後藤 日出人,  亘 徹,  溝渕 孝一,  

[発表日]1997/4/24
[資料番号]ED97-2,SDM97-2
電流ストレスによりSi熱酸化膜界面近傍に生成された中性trap密度の評価手法の提案

榊原 清彦,  味香 夏夫,  三好 寛和,  

[発表日]1997/4/24
[資料番号]ED97-3,SDM97-3
自然形成InAs量子ドットの形成と単電子デバイスへの応用

陽 完治,  

[発表日]1997/4/24
[資料番号]ED97-4,SDM97-4
探針集光型トンネル電子発光顕微鏡による量子構造評価

村下 達,  舘野 功太,  

[発表日]1997/4/24
[資料番号]ED97-5,SDM97-5
Si基板上Si/CdF_2量子井戸構造を用いた電界効果型量子効果デバイス

齋藤 渉,  筒井 将史,  青木 雄一,  山崎 克之,  西山 淳,  渡辺 正裕,  浅田 雅洋,  

[発表日]1997/4/24
[資料番号]ED97-6,SDM97-6
エピタキシャルCaF_2上への位置制御された量子構造の作製

川崎 宏治,  上嶋 和也,  竹下 順,  筒井 一生,  

[発表日]1997/4/24
[資料番号]ED97-7,SDM97-7
CV測定によるInAs自己形成ドットの量子準位の評価

堀口 直人,  二木 俊郎,  中田 義昭,  横山 直樹,  

[発表日]1997/4/24
[資料番号]ED97-8,SDM97-8
OMVPE成長InP単原子層ステップ表面へのSi-δドーピング

須原 理彦,  本地 秀考,  中村 一二三,  宮本 恭幸,  古屋 一仁,  

[発表日]1997/4/24
[資料番号]ED97-9,SDM97-9
SiドープSiO2多層膜を用いた光共振器の作製とその光学的評価

剱持 大介,  佐藤 井一,  小野 洋,  野崎 眞次,  森崎 弘,  

[発表日]1997/4/24
[資料番号]ED97-10,SDM97-10
無水HFガスを用いた自然酸化膜エッチングにおける表面状態の観察

中澤 豊,  齋藤 洋司,  

[発表日]1997/4/24
[資料番号]ED97-11,SDM97-11
水素終端シリコン表面における初期酸素吸着の原子レベル観察

梶山 博司,  橋詰 富博,  平家 誠嗣,  和田 恭雄,  

[発表日]1997/4/24
[資料番号]ED97-12,SDM97-12
[OTHERS]

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[発表日]1997/4/24
[資料番号]