エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日：1997/03/14)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]1997/3/14
[資料番号]
目次

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[発表日]1997/3/14
[資料番号]
SOI基板を用いた横型IEGTのオン特性

安原 紀夫,  舟木 英之,  末代 知子,  中川 明夫,  

[発表日]1997/3/14
[資料番号]SDM96-228
SOIマルチ・チャンネルIGBTの電気特性

舟木 英之,  安原 紀夫,  末代 知子,  中川 明夫,  

[発表日]1997/3/14
[資料番号]SDM96-229
SIPOS膜を用いた新構造高耐圧SOI素子

山口 好広,  安原 紀夫,  平山 敬三,  舟木 英之,  中川 明夫,  

[発表日]1997/3/14
[資料番号]SDM96-230
高耐圧横型SOI-Pch.MOSFETの素子耐圧における基板バイアス依存性

澄田 仁志,  平林 温夫,  

[発表日]1997/3/14
[資料番号]SDM96-231
タンタルゲート完全空乏化SOI MOSFET作製技術におけるプロセスガイドライン

余 謨群,  牛木 健雄,  森田 瑞穗,  大見 忠弘,  

[発表日]1997/3/14
[資料番号]SDM96-232
デバイス反転型シリコンウエハ直接貼り合わせ法により製作したQuasi-SOIパワーMOSFET

松本 聡,  谷内 利明,  堀江 博,  有本 由弘,  

[発表日]1997/3/14
[資料番号]SDM96-233
高速・低消費電力性能を実現する0.35μmシャローSIMOX/CMOS技術

仲 敏男,  Adan A. O.,  金子 誠二,  鍵沢 篤,  

[発表日]1997/3/14
[資料番号]SDM96-234
低電圧MTCMOS/SIMOXにおける閾値電圧ばらつきの抑制

原田 充,  道関 隆国,  土屋 敏章,  

[発表日]1997/3/14
[資料番号]SDM96-235
完全空乏動作シャローSIMOX/CMOSトランジスタ技術

金子 誠二,  仲 敏男,  Adan A. O.,  鍵沢 篤,  

[発表日]1997/3/14
[資料番号]SDM96-236
[OTHERS]

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[発表日]1997/3/14
[資料番号]