エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:1997/03/13)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]1997/3/13
[資料番号]
目次

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[発表日]1997/3/13
[資料番号]
SOI集積回路に対する基板浮遊効果の影響

寺内 衛,  西山 彰,  水野 智久,  吉見 信,  渡辺 重佳,  

[発表日]1997/3/13
[資料番号]SDM96-217
BESS : バイポーラ埋込みソース構造によるSOICMOSFETの基板浮遊効果解消

堀内 勝忠,  田村 誠男,  

[発表日]1997/3/13
[資料番号]SDM96-218
0.15μm部分空乏型SOI MOSFETにおけるサブバンドギャップインパクトイオン化と基板浮遊効果

更屋 拓哉,  高宮 真,  デュエト トラン ゴック,  平本 俊郎,  生駒 俊明,  

[発表日]1997/3/13
[資料番号]SDM96-219
アクセプタからの電界の二次元的発散を考慮したSOI-MOSFETのしきい値電圧モデル

黄 俐昭,  松本 比呂志,  

[発表日]1997/3/13
[資料番号]SDM96-220
SOI(Si on Insulator)の現状と課題

米原 隆夫,  

[発表日]1997/3/13
[資料番号]SDM96-221
ニューロン回路用発振回路とMOSFETマトリクスのSOI基板上への作製

徳光 永輔,  呉 貞姫,  岡田 伸一郎,  永田 康成,  大曲 隆文,  石原 宏,  

[発表日]1997/3/13
[資料番号]SDM96-222
MOS構造素子におけるキャリア速度オーバーシュートの限界

水野 智久,  大場 竜二,  

[発表日]1997/3/13
[資料番号]SDM96-223
水素化処理によるSOI寄生MOSFETの低しきい値電圧化の抑制

岩松 俊明,  一法師 隆志,  宮本 昭一,  山口 泰男,  前川 繁登,  井上 靖朗,  西村 正,  

[発表日]1997/3/13
[資料番号]SDM96-224
低ドーズSIMOXウェーハの埋込酸化膜におけるITOXの効果

斎藤 美奈,  Jablonski Jaroslaw,  宮村 佳児,  片山 達彦,  

[発表日]1997/3/13
[資料番号]SDM96-225
Geイオン注入poly-Si膜の抵抗率の熱処理効果

和田 恵治,  山本 寛,  桑野 博,  

[発表日]1997/3/13
[資料番号]SDM96-226
SOI基板で増速酸化が生じる臨界Cu汚染量

小此木 堅祐,  浜田 耕治,  菊池 浩昌,  北野 友久,  

[発表日]1997/3/13
[資料番号]SDM96-227
[OTHERS]

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[発表日]1997/3/13
[資料番号]