エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:1996/12/06)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]1996/12/6
[資料番号]
目次

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[発表日]1996/12/6
[資料番号]
金属電極上に堆積したTa2O5の膜特性

木城 耕一,  井上 信彦,  陳 世昌,  吉丸 正樹,  

[発表日]1996/12/6
[資料番号]SDM96-156
Bi_4Ti_3O_<12>薄膜の低温形成とその膜特性

山口 正樹,  長友 隆男,  大本 修,  

[発表日]1996/12/6
[資料番号]SDM96-157
Siウェーハのライフタイムの温度依存性

田尻 寛享,  伊藤 智尚,  市村 正也,  荒井 英輔,  

[発表日]1996/12/6
[資料番号]SDM96-158
三フッ化塩素処理シリコンの表面形状と光学的評価

門馬 正,  石崎 芳宜,  齋藤 洋司,  

[発表日]1996/12/6
[資料番号]SDM96-159
プラズマCVD法によって堆積した太陽電池用Si薄膜の不純物ドーピング特性

黒部 憲一,  小原 天,  冬木 隆,  松波 弘之,  

[発表日]1996/12/6
[資料番号]SDM96-160
注入水素を用いた脆化によるシリコン単結晶の薄膜形成

梶山 健二,  米田 知晃,  井上 森雄,  原 徹,  

[発表日]1996/12/6
[資料番号]SDM96-161
スズ添加によるシリコン固相成長促進現象

小嶋 哲,  齋藤 洋司,  

[発表日]1996/12/6
[資料番号]SDM96-162
DoPed oxideによるPoly-Si薄膜への不純物ドーピングと素子への応用

小森 隆弘,  曲 偉峰,  田中 篤志,  北川 章夫,  鈴木 正國,  

[発表日]1996/12/6
[資料番号]SDM96-163
分子動力学法によるホウ素クラスターイオン注入のシミュレーション

青木 学聡,  島田 規広,  竹内 大輔,  松尾 二郎,  Insepov Zinetulla,  山田 公,  

[発表日]1996/12/6
[資料番号]SDM96-164
水素ECRプラズマ処理による砒素注入されたシリコンの浅いN形層の形成

細川 浩一,  寺田 耕一郎,  横田 勝弘,  渡辺 正則,  高木 俊宣,  平井 清人,  高野 弘道,  熊谷 正夫,  

[発表日]1996/12/6
[資料番号]SDM96-165
高温水素雰囲気中のSIM0X基板表面平坦化過程

国井 秦夫,  永瀬 雅夫,  中嶋 定夫,  泉 勝俊,  

[発表日]1996/12/6
[資料番号]SDM96-166
薄層SOI基板における酸化誘起積層欠陥の収縮過程

ジレス ルイ,  国井 泰夫,  泉 勝俊,  

[発表日]1996/12/6
[資料番号]SDM96-167
高圧酸化法によるSTI形成技術の検討

伊藤 眞宏,  山内 美知子,  澤村 健司,  小泉 賢,  長友 良樹,  

[発表日]1996/12/6
[資料番号]SDM96-168
TiWNでキャップしたダマシンCu配線

深田 哲生,  豊田 吉彦,  森 剛,  長谷川 万希子,  三上 登,  

[発表日]1996/12/6
[資料番号]SDM96-169
電気化学的方法を用いたAlCu系合金薄膜の腐食メカニズムの解析と表面硫化処理法による耐腐食性向上

川口 明実,  久保 実,  

[発表日]1996/12/6
[資料番号]SDM96-170
シリコン低温エピタキシャル成長における不純物高濃度ドーピング

中田 真佐美,  宮内 昭浩,  井上 洋典,  鈴木 誉也,  

[発表日]1996/12/6
[資料番号]SDM96-171
[OTHERS]

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[発表日]1996/12/6
[資料番号]