エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:1996/12/05)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

,  

[発表日]1996/12/5
[資料番号]
目次

,  

[発表日]1996/12/5
[資料番号]
Siナノ結晶の近赤外発光

竹岡 慎治,  神澤 好彦,  藤井 稔,  林 真至,  山本 恵一,  

[発表日]1996/12/5
[資料番号]SDM96-142
多孔質シリコンの可視PLスペクトルの陽極化成中照射光依存性

岡本 充央,  長尾 孝信,  大岩 孝,  八田 章光,  伊藤 利道,  

[発表日]1996/12/5
[資料番号]SDM96-143
ポーラスSiの2次元発光像の解析

松田 敏弘,  新保 篤志,  林 隆典,  谷野 克巳,  大曽根 隆志,  

[発表日]1996/12/5
[資料番号]SDM96-144
金属メッキされた多孔質シリコンの微細構造と膜中分布

大岩 孝,  長尾 孝信,  岡本 充央,  八田 章光,  伊藤 利道,  

[発表日]1996/12/5
[資料番号]SDM96-145
Si-rich SiO_2膜中のErの発光

吉田 正人,  神澤 好彦,  藤井 稔,  林真 至,  山本 恵一,  

[発表日]1996/12/5
[資料番号]SDM96-146
リン再分布によるゲート酸化膜の構造緩和

森野 航一,  宮崎 誠一,  廣瀬 全孝,  

[発表日]1996/12/5
[資料番号]SDM96-147
極薄酸化膜およびプラズマ損傷のあるSi表面の光学的評価

今井 崇明,  江利口 浩二,  藤本 晶,  奥山 雅則,  

[発表日]1996/12/5
[資料番号]SDM96-148
MOSデバイス用極薄SiO_2膜の低温形成

小池 貴夫,  二山 拓也,  村中 誠志,  冬木 隆,  松波 弘之,  

[発表日]1996/12/5
[資料番号]SDM96-149
テトライソシアネートシランを用いたSiO:F膜のプラズマCVD

中神 優子,  澤田 真人,  白藤 立,  林康 明,  西野 茂弘,  

[発表日]1996/12/5
[資料番号]SDM96-150
シリコンM0Sキャパシタの界面準位生成に対する酸化膜電圧およびその極性依存性

島田 章宏,  井上 真雄,  白藤 純嗣,  

[発表日]1996/12/5
[資料番号]SDM96-151
電界集中下における極薄酸化・窒化・酸化複合膜の電気伝導に関する量子力学的解析

松尾 直人,  藤原 裕章,  三好 正毅,  

[発表日]1996/12/5
[資料番号]SDM96-152
ゲート酸化膜の絶縁破壊メカニズム

冨田 孝之,  宇都宮 裕人,  梅田 一徳,  谷口 研二,  

[発表日]1996/12/5
[資料番号]SDM96-153
6H-(0001)SiC反転層内における電子移動度

正木 和夫,  浜口 智尋,  キー,  メロー,  クーパー,  

[発表日]1996/12/5
[資料番号]SDM96-154
ガスクラスターイオンビームによるSiC表面平坦化

豊田 紀章,  木谷 博昭,  松尾 二郎,  山田 公,  

[発表日]1996/12/5
[資料番号]SDM96-155
[OTHERS]

,  

[発表日]1996/12/5
[資料番号]