エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:1996/11/15)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]1996/11/15
[資料番号]
目次

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[発表日]1996/11/15
[資料番号]
半導体集積回路のアルミニウム配線におけるストレスマイグレーション現象の初期過程

青柳 稔,  浅田 邦博,  

[発表日]1996/11/15
[資料番号]SDM96-132
配線の信頼性を考慮したギガビットDRAMの設計法

渡辺 重佳,  大内 和則,  

[発表日]1996/11/15
[資料番号]SDM96-133
液相シリル化による多孔質低誘電率層間絶縁膜材料

青井 信雄,  

[発表日]1996/11/15
[資料番号]SDM96-134
選択AI CVD技術を用いた完全自己整合メタライゼーションMOSFET

後藤 晶央,  松橋 秀樹,  田嶋 陵,  横山 道央,  益 一哉,  坪内 和夫,  

[発表日]1996/11/15
[資料番号]SDM96-135
低消費電力ニューロンMOS論理ゲート

権 浩〓,  柴田 直,  大見 忠弘,  

[発表日]1996/11/15
[資料番号]SDM96-136
イントリンシックチャネルを持つ0.01μm SOI-MOSFET

島谷 民夫,  ピディン セルゲイ,  小柳 光正,  

[発表日]1996/11/15
[資料番号]SDM96-137
材料・プロセスイノベーションによる新構造形成への挑戦 : Si/Ge多層膜への酸素イオン注入によるSi/SiO_2/Ge多層構造の形成

荻野 俊郎,  Prabhakaran Kuniyil,  小林 慶裕,  住友 弘二,  

[発表日]1996/11/15
[資料番号]SDM96-138
Wの低温選択成長とその初期過程

山本 裕司,  松浦 孝,  室田 淳一,  

[発表日]1996/11/15
[資料番号]SDM96-139
ECRプラズマによるSi-Ge系の原子層エッチング

杉山 剛之,  松浦 孝,  室田 淳一,  

[発表日]1996/11/15
[資料番号]SDM96-140
基板不純物濃度低減による450℃アニールイオン注入接合の特性改善

玉井 幸夫,  中田 明良,  岡 マウリシオ正純,  柴田 直,  大見 忠弘,  

[発表日]1996/11/15
[資料番号]SDM96-141
[OTHERS]

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[発表日]1996/11/15
[資料番号]