エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:1996/05/23)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

,  

[発表日]1996/5/23
[資料番号]
目次

,  

[発表日]1996/5/23
[資料番号]
Si/SiO_2界面歪緩和によるトンネル酸化膜の信頼性向上(高温希釈ウエット酸化プロセスの検討)

富田 寛,  小澤 良夫,  高橋 護,  

[発表日]1996/5/23
[資料番号]SDM96-16
酸化膜中の局所的歪みおよび不純物によるトラップ生成

金田 千穂子,  

[発表日]1996/5/23
[資料番号]SDM96-17
トンネル酸化膜中電荷トラップによるフラッシュメモリ特性劣化のシミュレーション

横沢 亜由美,  白井 浩樹,  岡沢 武,  

[発表日]1996/5/23
[資料番号]SDM96-18
MOSFETの容量測定とチャージポンピング測定による界面準位のラテラルプロファイル評価

内田 英次,  福田 浩一,  田中 宏幸,  平下 紀夫,  

[発表日]1996/5/23
[資料番号]SDM96-19
極薄シリコン酸化膜における絶縁破壊とストレスリーク電流の起源

佐竹 秀喜,  安田 直樹,  高木 信一,  島海 明,  

[発表日]1996/5/23
[資料番号]SDM96-20
プラズマダメージを受けたゲート酸化膜の定電流TDDB寿命と定電圧TDDB寿命の関係

江利口 浩二,  山田 隆順,  小坂 由紀子,  畑田 賢造,  

[発表日]1996/5/23
[資料番号]SDM96-21
多結晶Si中の窒素の拡散およびpoly-Si/SiO_2界面での窒素の偏析

中山 諭,  酒井 徹志,  

[発表日]1996/5/23
[資料番号]SDM96-22
完全空乏型MOSFET/SIMOXの基板浮遊効果抑制策と信頼性

土屋 敏章,  大野 晃計,  田沢 聰,  富沢 雅彰,  

[発表日]1996/5/23
[資料番号]SDM96-23
TISを用いたギガビットDRAMの設計

渡辺 重佳,  稗田 克彦,  須之内 一正,  堀口 文男,  大内 和則,  原 央,  舛岡 富士雄,  

[発表日]1996/5/23
[資料番号]SDM96-24
256Mフラッシュメモリ用0.54μm^2 SAHF(Self-Aligned HSG Floating gate)セル

白井 浩樹,  久保田 大志,  本間 一郎,  渡辺 啓仁,  小野 春彦,  岡澤 武,  

[発表日]1996/5/23
[資料番号]SDM96-25
[OTHERS]

,  

[発表日]1996/5/23
[資料番号]