エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:1996/03/11)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]1996/3/11
[資料番号]
目次

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[発表日]1996/3/11
[資料番号]
三次元デバイスシミュレーションを用いたSOI MOSFETにおける寄生MOSFETの解析

岩松 俊明,  宮本 昭一,  山口 泰男,  一法師 隆志,  井上 靖朗,  三好 寛和,  

[発表日]1996/3/11
[資料番号]SDM95-263
デバイスシミュレーションによるLIGBT/Quasi-SOIの検討

松本 聡,  谷内 利明,  

[発表日]1996/3/11
[資料番号]SDM95-264
SOI基板を用いたメインフレーム用0.3μm ECL-CMOSプロセス技術

菊池 俊之,  大西 良史,  橋本 尚,  吉田 栄一,  山口 日出,  和田 慎一郎,  丹場 展雄,  渡辺 邦彦,  玉置 洋一,  池田 隆英,  

[発表日]1996/3/11
[資料番号]SDM95-265
極薄膜MOSFET/SIMOXのソース・ドレイン上に形成したW層の寄生バイポーラ効果への影響

佐藤 康博,  大野 晃計,  土屋 敏章,  小杉 敏彦,  石井 仁,  

[発表日]1996/3/11
[資料番号]SDM95-266
タンタルゲート電極を用いたSOI MOSFETの閾値制御

平野 有一,  島田 久幸,  牛木 健雄,  大見 忠弘,  

[発表日]1996/3/11
[資料番号]SDM95-267
サブクォータミクロンを有するMONOS型メモリーセルの開発 : ボトム酸化膜へのRTN処理の効果

山岸 万千雄,  中村 明弘,  青笹 浩,  小松 康俊,  

[発表日]1996/3/11
[資料番号]SDM95-268
完全空乏化及び部分空乏化型SOI-MOSFETの短チャネル効果に関する容量ネットワークモデルに基づく比較

黄 俐昭,  松本 比呂志,  

[発表日]1996/3/11
[資料番号]SDM95-269
高耐圧60V SOI DMOSFET

川口 雄介,  舟木 英之,  山口 好広,  寺崎 仁規,  中川 明夫,  

[発表日]1996/3/11
[資料番号]SMD95-270
Geをイオン注入したpoly-Si膜の電気的特性

松井 崇行,  姜 勉求,  和田 恵治,  桑野 博,  

[発表日]1996/3/11
[資料番号]SDM95-271
アクティブ層にエッチストップ層を用いた薄膜SOI形成プロセス

海野 秀之,  今井 和雄,  

[発表日]1996/3/11
[資料番号]SDM95-272
電圧印加エッチストップによる貼り合わせSOIの薄膜化

小椋 厚志,  

[発表日]1996/3/11
[資料番号]SDM
SIMOX基板に含まれる金属不純物の混入原因

渡辺 かおり,  吉野 明,  小此木 堅祐,  北島 洋,  

[発表日]1996/3/11
[資料番号]SDM95-274
SIMOX基板の重金属汚染分析方法の検討

小舘 淳一,  町田 克之,  今井 和雄,  田中 真紀子,  籔本 周邦,  

[発表日]1996/3/11
[資料番号]SDM95-275
[OTHERS]

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[発表日]1996/3/11
[資料番号]