エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:1996/01/26)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

,  

[発表日]1996/1/26
[資料番号]
目次

,  

[発表日]1996/1/26
[資料番号]
WSix配線技術 : ECR窒素プラズマにより形成したWSixN拡散バリア層の利用

枚田 明彦,  細矢 徹夫,  町田 克之,  本間 芳和,  秋谷 秀夫,  

[発表日]1996/1/26
[資料番号]SDM95-201
高温スパッタを用いたサブクォーターマイクロンのチタンサリサイド形成技術

藤井 邦宏,  菊田 邦子,  隣 真一,  吉川 公麿,  

[発表日]1996/1/26
[資料番号]SDM95-202
コンタクト抵抗特性に与えるTiN/Tiスパッタ密着層形成法の影響

金村 龍一,  井上 肇,  鈴木 説男,  監物 秀憲,  森山 一郎,  佐々木 正義,  

[発表日]1996/1/26
[資料番号]SDM95-203
TiCl_4/NH_3を原料としたTiN薄膜CVD合成の反応機構

霜垣 幸浩,  大久保 頼聡,  斉藤 丈靖,  江頭 靖幸,  菅原 活郎,  小宮山 宏,  

[発表日]1996/1/26
[資料番号]SDM95-204
液体供給法によるAl-CVDの高速成長

松宮 康夫,  山崎 進,  中嶋 一雄,  

[発表日]1996/1/26
[資料番号]SDM95-205
スパッタ法とCVD法とスパッタ・リフロー法とで成膜したCMP-Cu配線の特性比較

星野 雅孝,  三沢 信裕,  角田 一夫,  大迫 なぎさ,  岡本 茂,  大場 隆之,  八木 春良,  山田 雅雄,  古村 雄二,  

[発表日]1996/1/26
[資料番号]SDM95-206
高信頼性Cu配線の特性

豊田 吉彦,  深田 哲生,  森 剛,  長谷川 万希子,  三上 登,  

[発表日]1996/1/26
[資料番号]SDM95-207
コンタクト同時埋め込みCu配線プロセス

南幅 学,  飯島 匡,  田村 仁,  下岡 義明,  川ノ上 孝,  須黒 恭一,  平林 英明,  桜井 直明,  大川 秀樹,  小原 隆,  久保田 剛,  古山 充利,  伊高 利明,  

[発表日]1996/1/26
[資料番号]SDM95-208
Al/TiN/Ti積層構造における下地膜(TiN/Ti)スパッタ温度の影響

関口 智子,  青山 隆,  鈴樹 正恭,  西原 晋治,  

[発表日]1996/1/26
[資料番号]SDM95-209
W表面酸化膜が熱処理時のAl / W配線の抵抗上昇に及ぼす効果

関口 満,  山中 通成,  藤居 豊和,  福本 正紀,  真弓 周一,  

[発表日]1996/1/26
[資料番号]SDM95-210
EM加速試験におけるAl配線抵抗増加特性

山口 俊夫,  橋本 圭市,  鉄田 博,  

[発表日]1996/1/26
[資料番号]SDM95-211
低圧HF/H_2OべーパープロセスにおけるSiO_2エッチング機構解析

中西 成彦,  小林 伸好,  

[発表日]1996/1/26
[資料番号]SDM95-212
[OTHERS]

,  

[発表日]1996/1/26
[資料番号]