エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日：1995/12/07)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]1995/12/7
[資料番号]
目次

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[発表日]1995/12/7
[資料番号]
Si(100)表面の清浄化とフッ素処理効果の赤外反射吸収分光法による評価

栗岡 善昭,  奥村 勝英,  奥山 雅則,  浜川 圭弘,  

[発表日]1995/12/7
[資料番号]SDM95-174
フォトレフレクタンス分光法による初期酸化時Si表面の評価

今井 崇明,  藤本 晶,  奥山 雅則,  浜川 圭弘,  

[発表日]1995/12/7
[資料番号]SDM95-175
凹凸多結晶Si上の極薄酸化・窒化・酸化複合膜の低電圧領域での電気伝導に関する理論的考察

松尾 直人,  藤原 裕章,  三好 正毅,  小柳 剛,  

[発表日]1995/12/7
[資料番号]SDM95-176
F-Nトンネル電流ストレスによる(100)Si/SiO_2界面準位の生成機構とその特性

井上 真雄,  白藤 純嗣,  

[発表日]1995/12/7
[資料番号]SDM95-177
TEOSを原料としてリモートプラズマCVD法により作製したSiO_2膜の電流伝導機構

小池 貴夫,  小倉 卓,  冬木 隆,  松波 弘之,  

[発表日]1995/12/7
[資料番号]SDM95-178
テトライソシアネートシランを用いたSiO_2膜の堆積

澤田 真人,  白藤 立,  林 康明,  

[発表日]1995/12/7
[資料番号]SDM95-179
PECVD SiOF膜の構造検討(II)

小泉 賢,  下川 公明,  吉丸 正樹,  

[発表日]1995/12/7
[資料番号]SDM95-180
セルフリミット機構を有するシリコン窒化膜の原子層デポジション

後藤 裕史,  芝原 健太郎,  横山 新,  

[発表日]1995/12/7
[資料番号]SDM95-181
高c軸配向Bi_4Ti_3O_<12>薄膜の作製と評価

山口 正樹,  川鍋 賢祐,  長友 隆男,  大本 修,  

[発表日]1995/12/7
[資料番号]SDM95-182
RFスパッタ法による(Ba, Sr)TiO_3薄膜の結晶性と電気特性

竹広 忍,  陳 世昌,  吉丸 正樹,  

[発表日]1995/12/7
[資料番号]SDM95-183
[OTHERS]

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[発表日]1995/12/7
[資料番号]