エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:1995/11/22)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]1995/11/22
[資料番号]
目次

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[発表日]1995/11/22
[資料番号]
高抵抗配線の信号を高速に伝搬させる信号変化加速回路

飯間 丈史,  水野 正之,  堀内 忠審,  山品 正勝,  

[発表日]1995/11/22
[資料番号]SDM95-163
フラッシュEEPROMを搭載した2V 120nsec 動作 8bit/16bit マイクロコントローラ

福本 高大,  平野 博茂,  茶谷 茂雄,  前島 隆志,  本多 利行,  角 辰巳,  道山 淳児,  有賀 理恵,  明石 拓夫,  渡部 誠司,  

[発表日]1995/11/22
[資料番号]SDM95-164
ファイル用途AND型フラッシュメモリのメモリ動作方式の検討

田中 利広,  加藤 正高,  加藤 章,  辻川 哲也,  土屋 修,  

[発表日]1995/11/22
[資料番号]SDM95-165
3V 単一ランダムアクセス 65ns 4Mbit NAND フラッシュメモリ

信方 浩美,  佐鳥 謙一,  平松 信治,  荒川 秀貴,  

[発表日]1995/11/22
[資料番号]SDM95-166
フラッシュメモリの安定な書込みパルス発生回路の設計

丹沢 徹,  田中 智晴,  

[発表日]1995/11/22
[資料番号]SDM95-167
2V以下での低電圧動作が可能なチャージポンプ回路

澤田 喜久三,  菅原 喜和,  桝井 昇一,  

[発表日]1995/11/22
[資料番号]SDM95-168
フラッシュメモリにおける可変ワード線電圧を用いた高信頼化書込み技術

宮本 直樹,  河原 尊之,  佐伯 俊一,  城野 雄介,  加藤 正高,  木村 勝高,  

[発表日]1995/11/22
[資料番号]SDM95-169
NAND型フラッシュメモリの多値化の検討

竹内 健,  田中 智晴,  中村 寛,  

[発表日]1995/11/22
[資料番号]SDM95-170
強誘電体キャパシタを用いたVcc/2プレート不揮発性DRAMの提案及びシミュレーションによる検証

竹内 幹,  松野 勝己,  中込 儀延,  青木 正和,  

[発表日]1995/11/22
[資料番号]SDM95-171
セル面積 0.29μm^2 を実現したトレンチ型 DRAM セル技術

野口 充宏,  尾崎 徹,  青木 正身,  浜本 毅司,  土生 真理子,  加藤 善光,  滝上 裕二,  柴田 透,  中杉 哲郎,  新山 広美,  都鹿野 健一,  斉藤 芳彦,  星 忠秀,  渡辺 重佳,  

[発表日]1995/11/22
[資料番号]SDM95-172
TiSi_2 膜形成における Si表面アモルファス化の効果とSEDAM法

若林 整,  斎藤 幸重,  松木 武雄,  最上 徹,  國尾 武光,  

[発表日]1995/11/22
[資料番号]SDM95-173
[OTHERS]

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[発表日]1995/11/22
[資料番号]