エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:1995/08/16)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]1995/8/16
[資料番号]
目次

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[発表日]1995/8/16
[資料番号]
LPCVD法によるSi_<1-x>Ge_xエピタキシャル成長におけるPおよびBドーピング

藤本 浩章,  室田 淳一,  高澤 裕真,  後藤 欣哉,  石井 真,  松浦 孝,  澤田 康次,  

[発表日]1995/8/16
[資料番号]
選択Si_<1-x>Ge_x CVDによる自己整合極浅接合形成と超微細MOSFETの製作

後藤 欣哉,  室田 淳一,  本間 文孝,  松浦 孝,  澤田 康次,  

[発表日]1995/8/16
[資料番号]
SGTトランジスタを用いたギガビットDRAMの設計

渡辺 重佳,  土田 賢二,  高島 大三郎,  大脇 幸人,  仁田山 晃寛,  稗田 克彦,  高東 宏,  須之内 一正,  堀口 文男,  大内 和則,  原 央,  舛岡 富士雄,  

[発表日]1995/8/16
[資料番号]
照射ion energyの制御によるTFT gate絶縁膜用PECVD-SiNxの高品質化

笠間 泰彦,  大見 忠弘,  福田 航一,  福井 洋文,  岩崎 千里,  小野 昭一,  

[発表日]1995/8/16
[資料番号]
Si表面のステップ配列設計とその応用

荻野 俊郎,  日比野 浩樹,  本間 芳和,  

[発表日]1995/8/16
[資料番号]
選択Al CVD技術におけるClF_3クリーニング

松橋 秀樹,  鄭 周赫,  後藤 晶央,  益 一哉,  坪内 和夫,  

[発表日]1995/8/16
[資料番号]
水素終端Si(100)面上のAl原子吸着の理論計算

池田 稔,  谷田 義明,  

[発表日]1995/8/16
[資料番号]
化学増幅型レジストにおける寸法変動要因の検討

渡辺 実,  佐藤 功,  田口 隆,  金森 順,  

[発表日]1995/8/16
[資料番号]
部分一括描画法におけるクーロン効果の検討

山下 浩,  伊藤 勝志,  徳永 賢一,  田村 貴央,  野末 寛,  

[発表日]1995/8/16
[資料番号]
[OTHERS]

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[発表日]1995/8/16
[資料番号]