エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:1995/07/29)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]1995/7/29
[資料番号]
目次

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[発表日]1995/7/29
[資料番号]
NANDフラッシュメモリの現状と将来技術

百冨 正樹,  白田 理一郎,  作井 康司,  遠藤 哲郎,  舛岡 富士雄,  

[発表日]1995/7/29
[資料番号]
高密度・低電圧NAND EEPROM設計のためのビット線シールド技術

作井 康司,  田中 智晴,  中村 寛,  百冨 正樹,  遠藤 哲郎,  白田 理一郎,  渡辺 重佳,  大内 和則,  舛岡 富士雄,  

[発表日]1995/7/29
[資料番号]
32Mb NAND Flash Memory for Mass Storage Applications

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[発表日]1995/7/29
[資料番号]
A 5V-ONLY 16M FLASH MEMORY USING A CONTACTLESS ARRAY OF SEGMENTED SOURCE-SIDE INJECTION CELLS

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[発表日]1995/7/29
[資料番号]
高信頼性酸窒化膜形成とフラッシュメモリー及びCMOSFETへの応用

荒川 富行,  松本 良一,  河津 佳幸,  林 孝尚,  大野 守史,  

[発表日]1995/7/29
[資料番号]
[OTHERS]

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[発表日]1995/7/29
[資料番号]