エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:1995/07/27)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]1995/7/27
[資料番号]
目次

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[発表日]1995/7/27
[資料番号]
ギガビットDRAM用高データレート回路技術

阪田 健,  堀口 真志,  関口 知紀,  田中 均,  中込 儀延,  青木 正和,  加賀 徹,  大倉 理,  

[発表日]1995/7/27
[資料番号]
ECR-MOCVD法によるSrTiO_3薄膜とRIE加工によるRuO_2/TiN電極を用いたGbit級DRAM用キャパシタ作製技術

山道 新太郎,  ルセシェール ピエール イブ,  

[発表日]1995/7/27
[資料番号]
New Memory Array Design Technique with Shared Sense And Restore Line

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[発表日]1995/7/27
[資料番号]
シランガスと各種シリコン表面の相互作用

小嶋 努,  中村 雅一,  白井 泰雪,  楢崎 勝貴,  大見 忠弘,  

[発表日]1995/7/27
[資料番号]
Influence of the Shape of the Illumination Aperture on the Intrafield Image Displacement

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[発表日]1995/7/27
[資料番号]
Limitation for contact hole windows in an attenuated phase shift mask with i-line lithography

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[発表日]1995/7/27
[資料番号]
室温動作0.05μm-CMOSの試作と評価 : サブ0.1μm-MOSFETの可能性とデバイスデザイン

堀 敦,  中岡 弘明,  海本 博之,  高瀬 道彦,  水野 文二,  小田中 紳二,  

[発表日]1995/7/27
[資料番号]
0.15μm CMOSトランジスタの高性能,高信頼性化プロセス

清水 悟,  黒井 隆,  酒井 舞子,  藤野 毅,  前田 容志,  堤 聡明,  広瀬 幸範,  楠 茂,  犬石 昌秀,  平尾 正,  

[発表日]1995/7/27
[資料番号]
Fabrication of Dual Gate Transistor with Novel In-Situ Boron-Doped LPCVD Method

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[発表日]1995/7/27
[資料番号]
W/TiN Stacked Gate for ULSI Devices

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[発表日]1995/7/27
[資料番号]
Inversion Layer Mobility of Subhalf-micron MOS Transistors

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[発表日]1995/7/27
[資料番号]
500MHz 1ステージ32-bit ALU及びオンチップテスト回路 : パストランジスタマルチプレクサの最適化

吉田 尊,  松原 玄宗,  吉岡 晋一,  田胡 治之,  鈴木 清吾,  後藤 宣之,  

[発表日]1995/7/27
[資料番号]
500MHz 0.4μm CMOS 32ワード×32ビット3ポートレジスタファイル

野村 昌弘,  山品 正勝,  鈴木 一正,  泉川 正則,  井倉 裕之,  安彦 仁,  岡部 一弘,  小野 篤樹,  中山 貴司,  山田 八郎,  

[発表日]1995/7/27
[資料番号]
高耐雑音、適応型ゲインVCOを用いた0.18μm CMOSホットスタンバイPLL

水野 正之,  古田 浩一朗,  安藤 岳,  田辺 昭,  田村 貴央,  宮本 秀信,  古川 昭雄,  山品 正勝,  

[発表日]1995/7/27
[資料番号]
Efficient Multiport Static RAM Design

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[発表日]1995/7/27
[資料番号]
Highly Reliable Polysilicon Thin Film Transistor Technology for High Density SRAM Application

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[発表日]1995/7/27
[資料番号]
[OTHERS]

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[発表日]1995/7/27
[資料番号]