エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:1994/11/24)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]1994/11/24
[資料番号]
目次

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[発表日]1994/11/24
[資料番号]
マルチアニュラーアンテナを用いた大口径均一ECRプラズマによるa-Si:H膜の堆積

中村 智和,  八坂 保能,  

[発表日]1994/11/24
[資料番号]SDM94-125
ハイブリッドプラズマCVD法により堆積したa-SiC:Hの結合様式の解析

藤井 正,  吉本 昌広,  冬木 隆,  松波 弘之,  

[発表日]1994/11/24
[資料番号]SDM94-126
Fragmentation modelによる非晶質固体の相転移

正木 裕一,  篠原 直克,  北川 章夫,  鈴木 正國,  

[発表日]1994/11/24
[資料番号]SDM94-127
ラマンイメージングによる再結晶化シリコン層の欠陥検出

溝口 幸司,  中島 信一,  播磨 弘,  

[発表日]1994/11/24
[資料番号]SDM94-128
Poly-Siの高温アニール効果 : S.G.G

曲 偉峰,  久下沼 信,  正木 裕一,  柿本 芳雄,  北川 章夫,  鈴木 正國,  

[発表日]1994/11/24
[資料番号]SDM94-129
Poly-Siの高温アニールによる欠陥密度に対する効果

久下沼 信,  曲 偉峰,  正木 裕一,  柿本 芳雄,  北川 章夫,  鈴木 正國,  

[発表日]1994/11/24
[資料番号]SDM94-130
非接触LBIC法による直接貼り合わせウェーハの貼り合わせ界面の評価

山口 裕史,  石神 俊一郎,  宇佐美 晶,  松木 和憲,  武内 勉,  

[発表日]1994/11/24
[資料番号]SDM94-131
シリコン低温エピタキシャル層の評価

宮内 昭浩,  上田 和浩,  井上 洋典,  鈴木 誉也,  

[発表日]1994/11/24
[資料番号]SDM94-132
光CVD法によるSi薄膜の低温選択エピタキシャル成長

南方 浩志,  大島 隆文,  山田 明,  小長井 誠,  

[発表日]1994/11/24
[資料番号]SDM94-133
UHV/CVD法によるSi低温(600℃)エピタキシャル成長技術の検討

小田 克矢,  清田 幸弘,  

[発表日]1994/11/24
[資料番号]SDM94-134
イオン注入層を表面にもつSiウェーハの表面再結合状態の非接触評価

牧野 貴紀,  吉田 英朗,  市村 正也,  宇佐美 晶,  

[発表日]1994/11/24
[資料番号]SDM94-135
内標準法に基づく浅いドーパントプロファイルの高精度SIMS測定

劉 国林,  合川 泉,  内田 英次,  黒田 茂樹,  平下 紀夫,  

[発表日]1994/11/24
[資料番号]SDM94-136
高品質6H-、4H-SiCの結晶成長とパワーショットキーダイオードへの応用

伊藤 明,  秋田 浩伸,  武本 大作,  漆谷 多二男,  木本 恒暢,  松波 弘之,  

[発表日]1994/11/24
[資料番号]SDM94-137
RTPを施したSOI基板及びPINホトダイオードの特性評価 : DLTS測定を中心として

藤吉 克洋,  吉田 英朗,  藤井 義磨郎,  山中 辰巳,  宇佐美 晶,  

[発表日]1994/11/24
[資料番号]SDM94-138
200kVArガスクラスターイオンビームによる浅い注入層の形成

竹内 大輔,  北井 敦,  豊田 紀章,  松尾 二郎,  高岡 義寛,  山田 公,  

[発表日]1994/11/24
[資料番号]SDM94-139
[OTHERS]

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[発表日]1994/11/24
[資料番号]