エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日：1994/07/27)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]1994/7/27
[資料番号]
目次

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[発表日]1994/7/27
[資料番号]
0.1μm領域CMOSFETに於ける素子の電気的特性の基板不純物濃度依存性

小野 瑞成,  斎藤 雅伸,  吉富 崇,  / 大黒 達也,  百瀬 寿代,  岩井 洋,  

[発表日]1994/7/27
[資料番号]SDM94-58
0.15μm CMOSトランジスタの特性

田辺 昭,  竹内 潔,  山本 豊二,  松木 武雄,  國尾 武光,  

[発表日]1994/7/27
[資料番号]SDM94-59
MOSFETの特性ゆらぎによるULSIの限界

水野 智久,  

[発表日]1994/7/27
[資料番号]SDM94-60
A Study On The Threshold Voltage Satisfying Normally Turn-Off State Conditions Of Depletion PMOSFET In MOS Circuits

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[発表日]1994/7/27
[資料番号]
Sputtered TiN Gate Electrode for Submicron MOSFETS

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[発表日]1994/7/27
[資料番号]
ディープサブミクロンCMOSインバータの遅延時間削減への検討

出浦 学,  奈良 安雄,  後藤 賢一,  山崎 辰也,  深野 哲,  杉井 寿博,  

[発表日]1994/7/27
[資料番号]SDM94-63
PRECISION CHANNEL CONDUCTANCE MODELING FOR ANALOG CMOS CIRCUITSIMULATIONS

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[発表日]1994/7/27
[資料番号]
浅溝分離0.2μmCMOSと超低電力分周器への応用

猪川 洋,  山本 庸介,  岡崎 幸夫,  小林 敏夫,  三宅 雅保,  石井 仁,  

[発表日]1994/7/27
[資料番号]SDM94-65
A P-well and Base Merged BiCMOS Technology

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[発表日]1994/7/27
[資料番号]
The Proposal of ESD Scheme in High Density DRAMs

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[発表日]1994/7/27
[資料番号]
電流駆動シリサイデーションを用いたアンチフューズ技術

鈴木 浩,  / 平山 昌樹,  大見 忠弘,  

[発表日]1994/7/27
[資料番号]SDM94-68
[OTHERS]

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[発表日]1994/7/27
[資料番号]