エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日：1994/07/25)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]1994/7/25
[資料番号]
目次

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[発表日]1994/7/25
[資料番号]
MOSFETの特性に及ぼす速度飽和領域の影響

竹内 潔,  

[発表日]1994/7/25
[資料番号]SDM94-34
液相堆積法(Liquid Phase Deposition)によるSi-MOSダイオードのウエハー前処理について

トラン ゴックデュエト,  韓 小逸,  羽路 伸夫,  

[発表日]1994/7/25
[資料番号]SDM94-35
水素プラズマ処理のデバイス特性への影響の考察

黒木 幸令,  塚本 敬一,  

[発表日]1994/7/25
[資料番号]SDM94-36
高品質極薄酸化膜形成技術 : 水素ラジカル水分酸化膜の信頼性

大見 忠弘,  

[発表日]1994/7/25
[資料番号]SDM94-37
熱酸化膜のTDDB特性における面積及び膜厚依存性

寺本 章伸,  小林 清輝,  平山 誠,  

[発表日]1994/7/25
[資料番号]SDM94-38
p^+ポリシリコンゲートMOS構造における極薄ゲート酸化膜信頼性

上沢 兼一,  最上 徹,  國尾 武光,  

[発表日]1994/7/25
[資料番号]SDM94-39
ポリSi/SiO_2からのボロン拡散による浅い接合を有するPMOSFETの特性

東郷 光洋,  最上 徹,  上沢 兼一,  國尾 武光,  

[発表日]1994/7/25
[資料番号]SDM94-40
PolySi PMOS TFTへの水素効果と高電圧ストレス効果

有村 公晴,  鍵沢 篤 /,  

[発表日]1994/7/25
[資料番号]SDM94-41
窒素ドープSi層を有するp^+ polySiゲート

中山 諭,  

[発表日]1994/7/25
[資料番号]SDM94-42
薄膜アモルファスSiスルーチャネルドーピングを用いた0.25μm埋込チャネル型PMOSFET

石田 浩,  清水 昭博,  大木 長斗司,  山中 俊明,  長野 隆洋,  

[発表日]1994/7/25
[資料番号]SDM94-43
オンチップパルスジェネレータを用いた高周波パルス電流によるEM評価

伊藤 信哉,  野口 江,  堀内 忠彦,  奥村 孝一郎,  

[発表日]1994/7/25
[資料番号]SDM94-44
[OTHERS]

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[発表日]1994/7/25
[資料番号]