エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:1994/05/26)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]1994/5/26
[資料番号]
目次

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[発表日]1994/5/26
[資料番号]
0.25μmSRAMセンターワードライン型セル

滝沢 正明,  内貴 唯八,  眞野 三千雄,  木村 忠之,  市川 勉,  塚本 雅則,  藤田 繁,  長山 哲洽,  佐々木 正義,  

[発表日]1994/5/26
[資料番号]SDM94-16,ICD94-27
大容量、低電圧、高速動作に適したSRAMメモリーセル技術Stacked Split Word-line(SSW)セル

池田 修二,  朝山 匡一郎,  橋本 直孝,  藤田 絵理,  吉田 安子,  小池 淳義,  山中 俊明,  石橋 孝一郎,  目黒 怜,  

[発表日]1994/5/26
[資料番号]SDM94-17,ICD94-28
256Mb DRAMのためのNAND型セル技術

山田 敬,  浜本 毅司,  青木 正身,  石橋 茂,  川口谷 ひとみ,  石橋 裕,  橋本 耕治,  金井 秀樹,  斉藤 芳彦,  

[発表日]1994/5/26
[資料番号]SDM94-18,ICD94-29
1GビットDRAM用極薄Ta_2O_5膜形成技術

神山 聡,  鈴木 博,  渡辺 啓仁,  小野 春彦,  

[発表日]1994/5/26
[資料番号]SDM94-20,ICD94-31
3V単一・64Mフラッシュメモリ用高容量比メモリセル

金森 宏治,  久宗 義明,  久保田 太志,  鈴木 喜之,  築地 優,  長谷川 英治,  石谷 明彦,  岡澤 武,  

[発表日]1994/5/26
[資料番号]SDM94-19,ICD94-30
スタック型キャパシタ構造の薄膜SOI-DRAMプロセス

大芦 敏行,  木村 広嗣,  森下 玄,  須磨 克博,  栄森 貴尚,  井上 靖郎,  西村 正,  

[発表日]1994/5/26
[資料番号]SDM94-21,ICD94-32
大容量DRAMのウェハーバーンイン技術

野路 宏行,  串山 夏樹,  吉田 透,  片岡 満,  土居 慎二,  江澤 弘和,  渡辺 徹,  古山 透,  

[発表日]1994/5/26
[資料番号]SDM94-22,ICD94-33
[OTHERS]

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[発表日]1994/5/26
[資料番号]