エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:1993/12/09)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]1993/12/9
[資料番号]
目次

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[発表日]1993/12/9
[資料番号]
急速加熱されるa-Siの過渡的状態図

北川 章夫,  鈴木 正國,  黄 林,  

[発表日]1993/12/9
[資料番号]SDM93-153
a-SiNx:Hのアニールによるフォトルミネセンスと膜構造への影響

牧村 紳司,  脇田 和樹,  中山 喜萬,  

[発表日]1993/12/9
[資料番号]SDM93-154
プラズマCVDによるpoly-Si膜の低温形成過程のインプロセス偏光解析モニタリング

中島 伸二,  中山 孝文,  白藤 立,  林 康明,  橘 邦英,  

[発表日]1993/12/9
[資料番号]SDM93-155
PECVD法による多結晶シリコン薄膜成長と楕円偏光分光法による評価

アハラビテヤ ジャヤティッサ,  鈴木 道夫,  中西 洋一郎,  畑中 義式,  

[発表日]1993/12/9
[資料番号]SDM93-156
poly-Siのガス炎高温アニールによるSecondary grain growth

鈴見 雅彦,  曲 偉峰,  北川 章夫,  鈴木 正国,  

[発表日]1993/12/9
[資料番号]SDM93-157
CVD法による薄膜結晶Siの堆積における核発生制御

吉田 博康,  冬木 隆,  松波 弘之,  

[発表日]1993/12/9
[資料番号]SDM93-158
スパッタリング法によるSiC薄膜の生成

中村 祐一,  笹川 悟,  上村 喜一,  中尾 真人,  小沼 義治,  米久保 荘,  

[発表日]1993/12/9
[資料番号]SDM93-159
Siの低温エピタキシャル成長におけるSiH_2Cl_2添加効果

大島 隆文,  佐野 正,  山田 明,  小長井 誠,  高橋 清,  

[発表日]1993/12/9
[資料番号]SDM93-160
狭バンドギャップa-Si:H/a-Ge:H極薄多層膜の光学的及び電気的特性の評価

出木 秀典,  大村 昌伸,  宮崎 誠一,  広瀬 全孝,  

[発表日]1993/12/9
[資料番号]SDM93-161
Si_<1-x>Ge_x/Si系不規則超格子のPL発光特性

長谷川 利通,  蔵本 恭介,  王 金國,  若原 昭浩,  佐々木 昭夫,  

[発表日]1993/12/9
[資料番号]SDM93-162
Si微細ファセット構造上におけるGaAsのミクロ成長機構

前田 英史,  綿谷 仁志,  中山 弘,  西野 種夫,  

[発表日]1993/12/9
[資料番号]SDM93-163
電子線励起超音波信号による非破壊・内部観察

香川 恵一,  中尾 一郎,  竹野下 寛,  

[発表日]1993/12/9
[資料番号]SDM93-164
シリコンウェーハに施されたゲッタリング手法の能力評価

速水 善範,  水野 亨彦,  牛尾 聡,  竹中 卓夫,  

[発表日]1993/12/9
[資料番号]SDM93-165
貼り合わせSOIウェーハのボイド領域の結晶性評価

宇佐美 晶,  市村 正也,  仲井 尊久,  石神 俊一郎,  和田 隆夫,  

[発表日]1993/12/9
[資料番号]SDM93-166
非接触LBIC法による貼り合わせSOIウェーハの評価 : ライフタイム及び表面再結合速度

山口 裕史,  藤井 義磨郎,  宇佐美 晶,  和田 隆夫,  松木 和憲,  武内 勉,  

[発表日]1993/12/9
[資料番号]SDM93-167
a-Si膜および太陽電池特性に及ぼすi層中の酸素不純物の影響

木下 敏宏,  磯村 雅夫,  菱川 善博,  津田 信哉,  中野 昭一,  

[発表日]1993/12/9
[資料番号]SDM93-168
貼り合わせSOI基板のDLTS測定による評価、及びPINホトダイオードの製作、素子特性評価

金子 圭介,  藤井 義磨郎,  宇佐美 晶,  和田 隆夫,  

[発表日]1993/12/9
[資料番号]SDM93-169
ショットキーバリアトンネルトランジスタ(SBTT)の数値解析

服部 励治,  谷田 行庸,  白藤 純嗣,  

[発表日]1993/12/9
[資料番号]SDM93-170
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