エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:1993/08/23)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]1993/8/23
[資料番号]
目次

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[発表日]1993/8/23
[資料番号]
中エネルギーイオン散乱法(MEIS)によるヒ素イオン注入極浅接合の評価

横山 新,  / 渡辺 健,  石橋 健作,  廣瀬 全孝,  

[発表日]1993/8/23
[資料番号]SDM93-72
450℃超低温接合形成のためのメタル汚染低減イオン注入技術

冨田 和朗,  中田 明良,  右田 智裕,  柴田 直,  大見 忠弘,  新田 雄久,  

[発表日]1993/8/23
[資料番号]SDM93-73
熱処理におけるW汚染の電気的特性に及ぼす影響

河原 博之,  米田 健司,  大石 博司,  戸所 義博,  

[発表日]1993/8/23
[資料番号]SDM93-74
スピンクリーニング法によるシリコンウェハのウルトラクリーン・ウェット洗浄技術

米川 直道,  國本 文智,  / 大見 忠弘,  

[発表日]1993/8/23
[資料番号]SDM93-75
高性能パワー半導体デバイスの現状 : 材料・プロセス高性能化への期待

関 康和,  

[発表日]1993/8/23
[資料番号]SDN93-76
フラッシュメモリの信頼性

有留 誠一,  白田 理一郎,  遠藤 哲郎,  舛岡 冨士雄,  

[発表日]1993/8/23
[資料番号]SDM93-77
77K動作/温度寸法合成スケーリングMOSFET

横山 道央,  日高 鉄也,  益 一哉,  坪内 和夫,  

[発表日]1993/8/23
[資料番号]SDM93-78
[OTHERS]

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[発表日]1993/8/23
[資料番号]